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결정화용 구조물에 있어서,
하부에 판 형상을 가지는 지지체; 및
상기 지지체의 판 형상에는 편평한 하부면 및 서로 다른 두 개의 저항을 가지는 돌출부가 복수개 서로 소정 간격으로 이격되어 구비되되, 상기 돌출부는 상기 지지체의 하면 상에 돌출 형성된 제1 저항을 갖는 제1 저항체와, 상기 제1 저항체의 말단부에 돌출 형성된 제2 저항을 갖는 제2 저항체로 이루어지며,
상기 제2 저항체의 하부면에 온도가 인가되어 대상물에 접근하여 가열할 때, 상기 제2 저항을 제1 저항보다 크게 하여 상기 제2 저항체에서의 온도는 상기 제1 저항체의 온도보다 높게 설정되는 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
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제1 항에 있어서,
상기 제1 저항체의 단면은 마름모꼴 형태인 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
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제1 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 지지체의 판을 기준으로 수직 왕복 가능한 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
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결정화용 구조물에 있어서,
하부에 판 형상을 가지는 지지체; 및
상기 지지체의 판 형상에는 제1 저항을 갖는 매트릭스 형상의 배선과 상기 배선을 단선하는 방식으로 일부 배선에 요홈이 형성되도록 삽입되고 편평한 하부면 및 제2 저항을 가지며 소정간격으로 이격되어 구비되는 복수개의 저항체를 구비하되,
상기 배선에 전압을 인가함에 따라 상기 저항체가 발열하여 대상물에 소정 간격으로 집중되는 열을 인가하고,
상기 제2 저항은 제1 저항 보다 큰 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
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제1 항 또는 제4 항에 있어서,
상기 편평한 하부면의 영역은 상기 지지체 면적의 0
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제1 항 또는 제4 항에 있어서,
상기 지지체는 투명한 부위를 구비하고 상기 투명한 부위에는 정렬키가 구비되는 것을 특징으로 하는 결정화용 구조물
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7
(a) 상부에 비정질 실리콘층이 증착된 기판을 준비하는 단계;
(b) 상기 기판의 하부에 냉각장치를 구비하는 단계;
(c) 상기 비정질 실리콘층의 상부에는, 하부에 판 형상을 가지는 지지체 및 상기 지지체의 판 형상에 편평한 하부면을 가지는 복수개의 돌출부가 서로 소정 간격으로 이격되어 구비되는 결정화용 구조물을 구비하는 단계; 및
(d) 상기 비정질 실리콘층 상부에 상기 결정화용 구조물이 일정 간격을 유지하여 배치되도록 상기 비정질 실리콘층 및 상기 결정화용 구조물 사이에 상기 돌출부가 삽입될 수 있는 구조의 복수개의 오픈된 영역을 갖는 마스크를 구비하는 단계를 포함하되,
상기 결정화용 구조물을 상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식으로, 상기 소정 면적을 갖는 비정질 실리콘층의 특성이 변경되도록 하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
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제7 항에 있어서,
상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식은,
상기 단계(c)에서, 상기 돌출부는 서로 다른 두 개의 저항을 가지며 상기 지지체의 하면 상에 돌출 형성된 제1 저항을 갖는 제1 저항체와, 상기 제1 저항체의 말단부에 돌출 형성된 제2 저항을 갖는 제2 저항체를 구비하는 상기 결정화용 구조물을 이용하되,
상기 제2 저항체의 하부면에 온도가 인가되어 대상물에 접근하여 가열할 때, 상기 제2 저항을 제1 저항보다 크게 하여 상기 제2 저항체에서의 온도는 상기 제1 저항체의 온도보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
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(a') 상부에 비정질 실리콘층이 증착된 기판을 준비하는 단계;
(b') 상기 기판의 하부에 냉각장치를 구비하는 단계;
(c') 상기 비정질 실리콘층의 상부에는, 하부에 판 형상을 가지는 지지체 및 상기 지지체의 판 형상에는 제1 저항을 갖는 매트릭스 형상의 배선과 상기 배선을 단선하는 방식으로 일부 배선에 요홈이 형성되도록 삽입되고 편평한 하부면 및 상기 제1 저항보다 큰 제2 저항을 가지며 소정간격으로 이격되어 구비되는 복수개의 저항체를 포함하는 결정화용 구조물을 접촉하여 배치하는 단계; 및
(d') 상기 결정화용 구조물을 상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식으로, 상기 소정 면적을 갖는 비정질 실리콘층의 특성이 변경되도록 하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
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제9 항에 있어서,
상기 비정질 실리콘층에 소정 면적을 갖는 복수개의 영역들의 온도가 주위 보다 높게 가열하는 방식은,
상기 단계(c')에서, 상기 결정화용 구조물의 상기 배선에 전압을 인가함에 따라 상기 저항체가 발열하여 대상물에 소정 간격으로 집중되는 열을 인가하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
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제7 항 또는 제9 항에 있어서,
상기 비정질 실리콘층 상부 또는 하부에는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘층의 결정화방법
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