맞춤기술찾기
이전대상기술
산화물 박막 후처리 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법
- 기술번호 : KST2015127267
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 산화물 박막 후처리 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 후처리 방법은, 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계; 및 상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하되, 상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 확산 활성화 에너지(diffusion activation energy)가 높을 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/02664(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) H01L 21/02664(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020140071592 (2014.06.12) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1561924-0000 (2015.10.14) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20151022) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.06.12) |
| 심사청구항수 | 39 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김현재 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 2 | 탁영준 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 3 | 윤두현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 4 | 박성표 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 5 | 이희수 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 2 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0550470-11 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 3 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1230534-52 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2014.12.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2015.01.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0000370-42 |
| 6 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0060422-60 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.05.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0290523-03 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.06.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0545115-45 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.06.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0545101-17 |
| 10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.07.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0501802-20 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.09.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0922913-51 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0922912-16 |
| 13 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.10.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0685932-16 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계; 및상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하되,상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 확산 활성화 에너지(diffusion activation energy)가 높은 산화물 박막 후처리 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 가스가 홑원소물질로 구성된 경우, 상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 원자의 반지름이 더 큰 산화물 박막 후처리 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 가스가 홑원소물질로 구성된 경우, 상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 원자량이 더 큰 산화물 박막 후처리 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 가스를 구성하는 물질은 수소, 헬륨 및 플루오르 중 하나 또는 그 이상을 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 1 가스의 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 5 내지 40 atm의 상기 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 7 |
7 제 4 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 1 가스의 분위기에서 30 분 내지 2 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 제 2 가스의 분위기에서 수행되는 열처리의 온도는 상기 제 1 가스의 분위기에서 수행되는 열처리의 온도와 동일한 산화물 박막 후처리 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 산소, 수증기, 과산화수소 및 이산화탄소 중 하나 또는 그 이상을 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 2 가스의 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 5 내지 20 atm의 상기 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 2 가스의 분위기에서 30 분 내지 2 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 산화물 박막 후처리 방법은 상기 산화물 박막을 제 3 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하되,상기 제 3 가스를 구성하는 물질은 상기 제 2 가스를 구성하는 물질보다 확산 활성화 에너지가 높은 산화물 박막 후처리 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 제 3 가스를 구성하는 물질은 오존을 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 15 |
15 산화물 박막을 5 내지 40 atm의 수소 가스 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계; 및상기 산화물 박막을 5 내지 20 atm의 산소 가스 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계;를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 산화물 박막을 수소 가스 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 5 atm의 수소 가스 분위기에서 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 17 |
17 제 15 항에 있어서,상기 산화물 박막을 산소 가스 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 10 atm의 산소 가스 분위기에서 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 후처리 방법 |
| 18 |
18 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계;상기 산화물 박막을 후처리하는 단계; 및상기 산화물 박막 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 산화물 박막을 후처리하는 단계는: 상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계; 및 상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하되, 상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 확산 활성화 에너지가 높은 반도체 소자 제조 방법 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서,상기 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계는:상기 기판 상에 InZnO 박막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서,상기 기판 상에 InZnO 박막을 형성하는 단계는:인듐 전구체 및 아연 전구체를 용매에 녹인 금속 전구체 용액을 상기 기판 상에 도포하는 단계; 및상기 금속 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서,상기 금속 전구체 용액의 몰 농도는 0 |
| 22 |
22 제 20 항에 있어서,상기 금속 전구체 용액에 용해된 인듐과 아연 간의 몰 비율은 1:5 내지 5:1인 반도체 소자 제조 방법 |
| 23 |
23 제 20 항에 있어서,상기 금속 전구체 용액은 용매 1 ml 당 0 |
| 24 |
24 제 20 항에 있어서,상기 금속 전구체 용액이 도포된 기판을 열처리하는 단계는:상기 금속 전구체 용액이 도포된 기판을 100 내지 150 ℃에서 1 분 내지 5 분 동안 선-열처리하는 단계; 및상기 금속 전구체 용액이 도포된 기판을 200 내지 280 ℃에서 2 시간 내지 4 시간 동안 후-열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 25 |
25 제 18 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 가스가 홑원소물질로 구성된 경우, 상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 원자의 반지름이 더 큰 반도체 소자 제조 방법 |
| 26 |
26 제 18 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 가스가 홑원소물질로 구성된 경우, 상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 상기 제 1 가스를 구성하는 물질보다 원자량이 더 큰 반도체 소자 제조 방법 |
| 27 |
27 제 18 항에 있어서,상기 제 1 가스를 구성하는 물질은 수소를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 28 |
28 제 27 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 1 가스의 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 29 |
29 제 27 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 5 내지 40 atm의 상기 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 30 |
30 제 27 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 1 가스의 분위기에서 30 분 내지 2 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 31 |
31 제 18 항에 있어서,상기 제 2 가스의 분위기에서 수행되는 열처리의 온도는 상기 제 1 가스의 분위기에서 수행되는 열처리의 온도와 동일한 반도체 소자 제조 방법 |
| 32 |
32 제 18 항에 있어서,상기 제 2 가스를 구성하는 물질은 산소를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 33 |
33 제 32 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 2 가스의 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 34 |
34 제 32 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 5 내지 20 atm의 상기 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 35 |
35 제 32 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 2 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 산화물 박막을 상기 제 2 가스의 분위기에서 30 분 내지 2 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 36 |
36 제 18 항에 있어서,상기 산화물 박막을 후처리하는 단계는, 상기 산화물 박막을 제 3 가스의 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하되,상기 제 3 가스를 구성하는 물질은 상기 제 2 가스를 구성하는 물질보다 확산 활성화 에너지가 높은 반도체 소자 제조 방법 |
| 37 |
37 제 19 항에 있어서,상기 산화물 박막을 제 1 가스의 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 InZnO 박막을 5 내지 40 atm의 수소 가스 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계; 및상기 InZnO 박막을 5 내지 20 atm의 산소 가스 분위기에서 100 내지 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계;를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 38 |
38 제 37 항에 있어서,상기 InZnO 박막을 수소 가스 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 InZnO 박막을 5 atm의 수소 가스 분위기에서 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 39 |
39 제 37 항에 있어서,상기 InZnO 박막을 산소 가스 분위기에서 열처리하는 단계는:상기 InZnO 박막을 10 atm의 산소 가스 분위기에서 200 ℃의 온도로 1 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09484419 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20150364554 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2015364554 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US9484419 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 연세대학교 | 중견연구자지원 | Printed Lab-on-a-Flex (LOF) 구현을 위한 all-in-one 무기 인쇄 소재 개발 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1561924-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20140612 출원 번호 : 1020140071592 공고 연월일 : 20151022 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20151005 청구범위의 항수 : 39 유별 : H01L 21/324 발명의 명칭 : 산화물 박막 후처리 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 783,000 원 | 2015년 10월 15일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 462,470 원 | 2018년 10월 24일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 475,940 원 | 2019년 11월 28일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2014.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0550470-11 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 3 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.12.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1230534-52 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2014.12.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2015.01.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-2015-0000370-42 |
| 6 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2015.01.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0060422-60 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2015.05.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0290523-03 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.06.05 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0545115-45 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.06.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0545101-17 |
| 10 | 의견제출통지서 | 2015.07.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0501802-20 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.09.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0922913-51 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.09.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0922912-16 |
| 13 | 등록결정서 | 2015.10.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0685932-16 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
중요키워드
| [KST2016016619][연세대학교] | 진동 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치(THIN FILM ACTIVATION METHOD, METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE USING VIBRATIONAL ENERGY) | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015012938][연세대학교] | 채널 도핑과 패시베이션을 동시에 수행하는 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2017011614][연세대학교] | 산화물 반도체 소자의 제조 방법(Method of forming oxide semiconductor device) | 새창보기 |
| [KST2019033933][연세대학교] | 부동층을 포함하는 반도체 기판의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2017008946][연세대학교] | 칼코게나이드 박막 및 이의 제조방법(Chalcogenide thin film and method for preparing the same) | 새창보기 |
| [KST2014047491][연세대학교] | 액상 공정 산화물 박막, 전자소자 및 박막 트랜지스터 제조 기술 | 새창보기 |
| [KST2015125459][연세대학교] | 산화물 반도체 박막 및 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015125467][연세대학교] | 투명 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015012764][연세대학교] | 산화물반도체 조성물 및 그 제조방법, 산화물반도체 박막 형성 방법, 전자소자 제조 방법 및 그에 따라 제조된 전자 부품 | 새창보기 |
| [KST2015124800][연세대학교] | 정렬키, 정렬키 형성 방법 및 이를 이용한 레이저 결정화방법 | 새창보기 |
| [KST2015127320][연세대학교] | ＲＴＡ를 통한 스핀캐스팅된 ＰＶＤＦ 박막의 β 결정화방법 | 새창보기 |
| [KST2015012815][연세대학교] | 전자 소자 및 그 제조 방법, 그리고 박막 트랜지스터 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2019009600][연세대학교] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2019005318][연세대학교] | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015127035][연세대학교] | 하프늄 실리케이트 박막 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015012880][연세대학교] | 원자층증착법을 이용한 갈륨 산화물 나노선을 형성하는 방법 | 새창보기 |
| [KST2015126132][연세대학교] | ＰＶＤＦ의 γ 결정화 방법, 상기 방법을 적용한 커패시터 및 전계효과트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015012817][연세대학교] | 다층형 금속 산화물 박막을 갖는 반도체 소자 및 박막 트랜지스터, 그리고 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2019006156][연세대학교] | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015125803][연세대학교] | 양자점 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015126386][연세대학교] | 피형 산화아연 박막 형성 방법 및 이를 이용한 소자 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015126777][연세대학교] | 저온 용액공정용 투명 유전체 박막 형성용 코팅액 및 상기 코팅액에 의해 형성한 박막을 구비한 투명 무기 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2014040317][연세대학교] | 고유전율 물질인 하프늄옥사이드 산화막의 두께 조절을 이용한 게이트 산화막 형성방법 및 이를 이용한 게이트 전극 | 새창보기 |
| [KST2019005322][연세대학교] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015126584][연세대학교] | 반도체 장치, 이의 제조 방법 및 시스템. | 새창보기 |
| [KST2015125391][연세대학교] | 액상제조 기반을 이용한 산화물 반도체 박막의 결정화 방법 | 새창보기 |
| [KST2015012997][연세대학교] | 산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2015012861][연세대학교] | 과산화수소를 이용한 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015124973][연세대학교] | 결정화용 구조물, 이를 이용한 결정화 방법, 반도체 활성층형성방법 및 박막트랜지스터 형성방법 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2019014856][연세대학교] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|