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반도체성 나노튜브와 반도체성 나노튜브 이외의 물질을 포함하는 나노튜브 혼합물에 마이크로파를 인가하여, 상기 나노튜브 혼합물 중에 존재하는 상기 반도체성 나노튜브 이외의 물질의 적어도 일부를 선택적으로 가열하여 제거하는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 분리 및 정제방법
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제1항에 있어서, 상기 나노튜브는 단일벽탄소나노튜브, 이중벽탄소나노튜브, 다중벽탄소나노튜브로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노튜브는 그 표면에 금속의 나노입자가 수식된 것임을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노튜브 혼합물은, 반도체성 나노튜브와 금속성 나노튜브가 혼재된 것임을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 마이크로파는, 주파수가 300MHz~30GHz이고, 파장이 1cm~1m인 전자기파인 것을 특징으로 하는 방법
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제5항에 있어서, 상기 마이크로파는, 주파수가 2
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 나노튜브 혼합물은 분말 상태로 처리되는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 액상 매질에 상기 나노튜브 혼합물을 분산시켜 기판 상에 도포한 후, 마이크로파를 인가하는 것을 특징으로 하는 방법
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제9항에 있어서, 상기 액상 매질은 물 또는 에탄올인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노튜브 혼합물에 마이크로파를 인가하여, 상기 나노튜브 혼합물 중에 존재하는 상기 반도체성 나노튜브 이외의 물질의 적어도 일부를 선택적으로 가열한 이후에, 상기 반도체성 나노튜브 이외의 물질의 선택적 가열의 부산물을 반도체성 나노튜브로부터 분리하기 위한 필터링 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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마이크로파 발진기, 상기 마이크로파 발진기에 한쪽 끝이 연결되는 도파관, 상기 도파관의 다른 한쪽 끝에 연결되는 반응기 및 상기 반응기 내에 위치하며, 분리 및 정제될 나노튜브 혼합물을 수용하기 위한 반응용기를 포함하여 이루어지고, 상기 마이크로파 발진기로부터 발생한 마이크로파가 상기 도파관을 통해 상기 반응기 내의 상기 반응용기 안에 수용된 나노튜브 혼합물에 인가되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 나노튜브의 분리 및 정제장치
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제12항에 있어서, 상기 반응용기는 낮은 손실정접 값을 갖는 단열재료 또는 비극성 고분자 재료를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치
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제12항에 있어서, 상기 반응용기는 카본블랙을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치
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