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대면적 나노 템플릿의 제조방법 및 이에 의해 제조된 대면적 나노 템플릿

  • 기술번호 : KST2015128320
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적 나노 템플릿의 제조방법 및 이에 의해 제조된 대면적 나노 템플릿에 관한 것으로서, 매개 기판 상에 높이가 서로 다른 복수의 소면적 나노 템플릿을 배치하되, 상기 매개 기판과 상기 소면적 나노 템플릿의 나노 패턴이 마주보도록 배치하는 배치단계; 기저 기판 상에 평탄화 박막을 코팅하는 코팅단계; 상기 평탄화 박막이 상기 소면적 나노 템플릿에 향하도록 하여 상기 기저 기판을 상기 소면적 나노 템플릿들 측으로 가압하는 가압단계; 및 상기 소면적 나노 템플릿들이 상기 평탄화 박막에 결합되고 상기 매개 기판을 제거함으로써, 상기 소면적 나노 템플릿들, 상기 평탄화 박막 및 상기 기저 기판을 구비하는 대면적 나노 템플릿을 완성하는 완성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B29C 59/02 (2006.01) B29C 33/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020100028065 (2010.03.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1157430-0000 (2012.06.12)
공개번호/일자 10-2011-0108709 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
2 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
3 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
4 김기돈 대한민국 서울특별시 중구
5 최대근 대한민국 대전광역시 유성구
6 이응숙 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0199779-85
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0207695-82
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0589024-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0876427-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0876403-15
8 등록결정서
Decision to grant
2012.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0294987-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
매개 기판 상에 높이가 서로 다른 복수의 소면적 나노 템플릿을 배치하되, 상기 매개 기판과 상기 소면적 나노 템플릿의 나노 패턴이 마주보도록 배치하는 배치단계; 기저 기판상에 평탄화 박막을 코팅하는 코팅단계; 상기 평탄화 박막이 상기 소면적 나노 템플릿에 향하도록 하여 상기 기저 기판을 상기 소면적 나노 템플릿들 측으로 가압하는 가압단계; 및 상기 소면적 나노 템플릿들이 상기 평탄화 박막에 결합되고 상기 매개 기판을 제거함으로써, 상기 소면적 나노 템플릿들, 상기 평탄화 박막 및 상기 기저 기판을 구비하는 대면적 나노 템플릿을 완성하는 완성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
2 2
매개 기판 상에 높이가 서로 다른 복수의 소면적 나노 템플릿을 배치하되, 상기 매개 기판과 상기 소면적 나노 템플릿의 나노 패턴이 마주보도록 배치하는 배치단계; 상기 소면적 나노 템플릿의 나노 패턴이 형성된 면의 반대면 상에 평탄화 박막을 코팅하는 코팅단계; 기저 기판을 상기 소면적 나노 템플릿에 형성된 평탄화 박막 측으로 가압하는 가압단계; 및 상기 소면적 나노 템플릿들이 상기 평탄화 박막에 결합되고 상기 매개 기판을 제거함으로써, 상기 소면적 나노 템플릿들, 상기 평탄화 박막 및 상기 기저 기판을 구비하는 대면적 나노 템플릿을 완성하는 완성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 배치단계 이후,상기 소면적 나노 템플릿의 나노 패턴이 형성된 면의 반대면 또는 기저 기판의 일면 중 적어도 하나를 표면처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 평탄화 박막은,금속 알콕사이드, 금속 아세틸아세테이트, 금속 유기산염, 금속 무기화합물 또는 금속산화물 미립자 중 적어도 하나를 출발물질로 하여 이루어진 무기 박막 또는 고분자 수지를 출발물질로 하여 이루어진 유기 박막 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 고분자 수지는, 폴리디메틸실록산(PDMS)인 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 배치단계 이후,상기 소면적 나노 템플릿들을 서로 접착하여 연결시키는 결합단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 결합단계 이후,상기 소면적 나노 템플릿에서 나노 패턴이 형성된 패턴면 상에 잔류하는 접착제를 제거하는 접착제 제거단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
8 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가압단계에서는, 상기 평탄화 박막 측에 200℃ 내지 700℃ 범위 내의 열을 더 가하는 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
9 9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소면적 나노 템플릿은, 실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2), 석영(Quartz) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 대면적 나노 템플릿의 제조방법
10 10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 제조방법에 의하여 제조된 대면적 나노 템플릿
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 산업기술융합산업원천기술개발사업 비노광기반 나노구조체 제작기술