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투명기질,도전성을 가지는 탄소나노튜브 구조체, 및상기 투명기질에 균일하게 분포된 자외선 차단 소재를 포함하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 구조체 및 상기 자외선 차단 소재가 상기 투명기질의 내부에 위치하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 구조체는 상기 투명기질의 내부에 위치하고, 상기 자외선 차단 소재는 상기 투명기질의 표면에 위치하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 구조체가 상기 투명기질의 표면에 위치하고, 상기 자외선 차단 소재는 상기 투명기질의 내부에 위치하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명기질과 상기 투명기질의 표면에 위치하는 상기 자외선 차단 소재 또는 상기 탄소나노튜브 구조체를 점착하는 점착층을 더 포함하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 구조체 및 상기 자외선 차단 소재가 상기 투명기질의 표면에 위치하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제6항에 있어서,상기 투명기질과 상기 탄소나노튜브 구조체 또는 상기 투명기질과 상기 자외선 차단 소재를 점착하는 점착층을 더 포함하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제6항에 있어서,상기 탄소나노튜브 구조체는 상기 투명기질의 한쪽 표면에 위치하고, 상기 자외선 차단 소재는 상기 투명기질의 다른 쪽 표면에 위치하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,550nm파장에서의 광투과율이 30% 내지 95%인 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,표면저항이 1 내지 109Ω/square인 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 자외선 차단 소재는 직경이 400nm 이하인 입자 또는 횡단면의 지름이 200nm 이하의 선 형태인 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 자외선 차단 소재는 금속 산화물을 포함하는 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 구조체는 탄소나노튜브가 망(Network) 형태로 형성된 구조체인 탄소나노튜브 투명 전도체
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제13항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속으로 도핑된 것인 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 구조체는 탄소나노튜브 박막에 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속으로 입힌 것인 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 있어서,상기 투명기질은 유리, 투명 폴리머(ploymer), 프릿 글래스(flit glass) 중 어느 하나로 이루어진 탄소나노튜브 투명 전도체
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제1항에 따른 탄소나노튜브 투명 전도체, 상기 탄소나노튜브 투명 전도체와 전기적으로 연결되어 형성되는 전극, 및 상기 전극과 전기적으로 연결되어 상기 탄소나노튜브 투명 전도체로 전원을 공급하는 전원공급장치를 포함하는 발열소자
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