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탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015128411
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자현미경을 통해 액상에 분산된 탄소나노튜브의 분산 정도를 정량적으로 평가할 수 있도록 하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판을 가열하는 가열 단계, 가열된 상기 기판을 회전시키고, 상기 기판의 중심에 탄소나노튜브 분산용액을 분사하여, 상기 기판 상에 탄소나노튜브를 단일막으로 코팅하는 스핀 코팅 단계 및 상기 기판을 건조하는 건조 단계를 포함하는 제조 방법 및 이 제조 방법에 의해 제조되는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물에 관한 것이다. 탄소나노튜브, 단일막, 스핀 코팅
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020070056076 (2007.06.08)
출원인 한국기계연구원, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0895878-0000 (2009.04.24)
공개번호/일자 10-2008-0107814 (2008.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한창수 대한민국 대전 서구
2 신동훈 대한민국 대전 유성구
3 김준동 대한민국 대전 유성구
4 백승현 대한민국 경기 수원시 장안구
5 최재붕 대한민국 경기 수원시 장안구
6 김영진 대한민국 경기 수원시 장안구
7 윤도경 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0417403-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0019993-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0437437-91
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0733525-29
7 보정요구서
Request for Amendment
2008.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0121861-16
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0747901-66
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0809598-56
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0812877-61
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0812876-15
12 등록결정서
Decision to grant
2009.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0169563-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
기판을 가열하는 가열 단계; 상기 가열 단계 이후에, 가열된 상기 기판을 회전시키며, 상기 기판의 중심에 탄소나노튜브 분산용액을 분사하여, 상기 기판 상에 탄소나노튜브를 단일막으로 코팅하는 스핀 코팅 단계; 및 상기 기판 상에 코팅된 상기 탄소나노튜브 단일막을 건조하는 건조 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 가열 단계에서, 상기 기판을 70℃ 내지 300℃의 온도 범위 내에서 가열하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 기판은 핫 플레이트를 이용해 가열하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 스핀 코팅 단계에서,상기 기판의 회전 속도는 상기 탄노나노튜브 분산용액 내에 존재하는 탄소나노튜브의 농도에 비례하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 기판의 회전 속도는, 상기 탄소나노튜브 분산용액 내에 존재하는 탄소나노튜브의 농도가 10 mg/L 내지 26mg/L 일 때, 400rpm 내지 1000rpm 범위에 속하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 스핀 코팅 단계에서, 상기 기판은 스핀 코터를 이용해 회전시키는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 분산용액은, 단일벽 탄소나노튜브와, 계면활성제를 포함하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 단일막에 남겨진 분산제를 제거하는 세척단계를 더욱 포함하고, 상기 세척 단계에서는 상기 분산제인 계면활성제를 메탄올과 증류수를 이용해 세척하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 건조 단계에서, 상기 기판 상에 질소 가스를 분사하여 건조하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물 제조 방법
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물
11 11
제10항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼인 것을 포함하는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물
12 12
제10항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 단일막의 두께는, 상기 탄소나노튜브 분산용액 내의 탄소나노튜브 입자간 평균거리 보다 더 얇게 형성되는 탄소나노튜브의 단일막 코팅 구조물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과기부 한국기계연구원 21C프론티어 나노소재의 대량 조립공정 및 응용기술 개발