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판 형상의 기판;상기 기판 상에 설치된 제1 금속전극;상기 제1 금속전극과 이격 배치된 제2 금속전극;상기 제1 금속전극과 쇼트키 접합되며, 상기 제2 금속전극과 오믹 접합된 나노 감응체; 상기 금속전극들과 전기적으로 연결되며 바이어스 전압을 인가하는 전원; 및상기 금속전극들과 전기적으로 연결된 전류계;를 포함하며,상기 제1 금속전극의 일함수와 상기 나노 감응체의 일함수의 차이인 장벽 전위를 Фdi, 광의 조사로 인한 장벽 감소 전위를 Vre, 상기 바이어스 전압을 Vb라 할 때, 상기 바이어스 전압(Vb)은 Vre≤Vb≤(Фdi-Vre)을 만족하는 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 기판 상에는 절연층이 형성되고, 상기 절연층 위에 상기 금속전극들이 형성된 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노 감응체는 N형(N-type) 반도체로 이루어지고, 상기 장벽 전위는 상기 제1 금속전극의 일함수(Фm)에서 상기 나노 감응체의 일함수(Фs)를 뺀 값인 광 검출장치
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제1 항에 있어서,상기 나노 감응체는 P형(P-type) 반도체로 이루어지고, 상기 장벽 전위는 상기 나노 감응체의 일함수(Фs)에서 제1 금속전극의 일함수(Фm)를 뺀 값인 광 검출장치
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제1 항에 있어서,상기 나노 감응체는 자외선에 반응하는 물질로 이루어진 광 검출 장치
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제1 항에 있어서,상기 나노 감응체는 나노 와이어로 이루어진 광 검출 장치
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제6 항에 있어서,상기 제1 금속전극은 백금으로 이루어지고, 상기 제2 금속전극은 알루미늄으로 이루어지며, 상기 나노 감응체는 ZnO로 이루어진 광 검출 장치
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