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나노 금속분말을 형성하는 나노분말제조단계(S100)와;상기 나노분말제조단계(S100)에 의해 제조된 나노 금속분말에 산소를 공급하여, 내부가 중공화된 나노 산화물을 형성하는 나노산화단계(S110)와;상기 나노산화단계(S110)에 의해 내부가 중공화된 나노 산화물에 수소를 공급하여, 나노 산화물이 금속상태로 환원되도록 하는 나노환원단계(S130);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공질 금속체의 제조방법
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플라즈마 아크방전(Plasma Arc Discharge)을 이용하여 나노 금속분말을 형성하는 나노분말제조단계(S100)와;상기 나노분말제조단계(S100)에 의해 제조된 나노 금속분말에 산소를 공급하여, 내부가 중공화된 나노 산화물을 형성하는 나노산화단계(S110)와;상기 나노산화단계(S110)에 의해 형성된 각각의 나노 금속 산화물을 압축성형하여, 나노 산화물결합체를 형성하는 나노산화물결합단계(S120)와;상기 나노산화단계(S110) 또는 나노산화물결합단계(S120)에 의해 내부가 중공화된 나노 산화물에 수소를 공급하여, 나노 산화물이 금속상태로 환원되도록 하는 나노환원단계(S130);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공질 금속체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 나노분말제조단계(S100)에서 제조되는 나노 금속분말은, 구리(Cu)나 아연(Zn) 또는 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 중 어느 하나임을 특징으로 하는 나노 다공질 금속체의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 나노산화단계(S110)는,상기 나노금속분말의 표면에 산화피막이 형성되는 피막형성과정(S112)과;나노금속분말의 내부에 다수의 빈 공간이 형성되는 공간형성과정(S114)과;상기 공간형성과정(S114)의 진행에 따라 내부의 금속분말이 모두 산화하여 나노 금속산화물을 형성하며, 중앙부에 중공홀(H)이 형성되는 산화완료과정(S116);을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 다공질 금속체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 산화완료과정(S116)에 의해 생성되는 나노 금속산화물은, Cu oxide, Zn oxide, Al oxide, Ni oxide 중 어느 하나임을 특징으로 하는 나노 다공질 금속체의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 나노환원단계(S130)는,230℃ 이상에서 수행됨을 특징으로 하는 나노 다공질 금속체의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 나노환원단계(S130)는,300℃에서 2시간 동안 수행됨을 특징으로 하는 나노 다공질 금속체의 제조방법
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