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밀도가 400 내지 2500 개/μm2인 침상형 구리 산화물 나노선을 환원성 분위기에서 열처리하는 구리 산화물 나노선의 환원에 의해 제조되어, 상기 열처리시 구리 산화물 나노선에서 동시다발적으로 발생하는 구리 핵의 생성, 성장 및 구리산화물이 구리로 환원되면서 발생하는 부피의 변화에 의해 야기되는 굴곡진 형상을 갖는 구리 나노선을 포함하는 초소수성 나노구조체
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제1항에 있어서,상기 구리 나노선은 그 표면에 자연산화층을 갖는 초소수성 나노구조체
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제 1항에 있어서,상기 구리 나노선은 장축 방향에 따라 불규칙하게 휘어진 나노선인 초소수성 나노구조체
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 구리 나노선에 의해 160˚ 이상의 수 접촉각(contact angle)을 갖는 초소수성 나노구조체
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제 5항에 있어서,상기 구리 나노선에 의해 2˚이하의 흐름각(sliding angle)을 갖는 초소수성 나노구조체
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제 1항 내지 제 3항 및 제 5항 내지 제 6항에서 선택된 어느 한 항의 초소수성 나노구조체가 표면에 구비된 기재
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제 1항 내지 제 3항 및 제 5항 내지 제 6항에서 선택된 어느 한 항에 따른 초소수성 나노구조체의 제조방법이며,a) 산화분위기에서 구리를 열산화시켜 구리산화물 나노선을 형성하는 산화단계; 및b) 환원분위기에서 상기 구리산화물 나노선을 열처리하여 구리 나노선을 포함하는 초소수성 나노구조체를 형성하는 환원단계;를 포함하는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 환원분위기는 H2, CH4, C2H5OH 또는 이들의 혼합 가스를 포함하는 분위기인 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 산화단계는 400 내지 650 ℃에서 수행되는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 환원단계는 100 내지 400 ℃에서 수행되는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 b) 단계에 의해 굴곡진 구리 나노선이 형성되는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 초소수성 표면은 160˚ 이상의 수 접촉각(contact angle)을 갖는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 초소수성 표면은 2˚이하의 흐름각(sliding angle)을 갖는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 산화단계 또는 환원단계가 수행된 후 1 내지 5℃/분으로 냉각하는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 b) 단계가 수행된 후,c) 상기 구리 나노선에 자연산화막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 초소수성 나노구조체의 제조방법
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