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나노 딤플 패턴의 형성방법 및 나노 구조물

  • 기술번호 : KST2015129189
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마스크층을 식각 보호층으로 이용하는 나노 딤플 패턴의 형성방법 및 이로부터 제조된 나노 구조물이 제공된다. 일 실시예에 따르면, 기판 상에 폴리머 입자들을 갖는 마스크층을 형성한다. 상기 마스크층은 상기 폴리머 입자들 사이로 상기 기판을 노출하는 개구를 갖는다. 상기 마스크층을 식각 보호층으로 이용하여 상기 개구로부터 노출된 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 기판 상에 나노 딤플 패턴을 형성한다.
Int. CL C03C 15/00 (2006.01) B44C 1/22 (2006.01) C03C 23/00 (2006.01)
CPC C03C 15/00(2013.01) C03C 15/00(2013.01) C03C 15/00(2013.01) C03C 15/00(2013.01) C03C 15/00(2013.01) C03C 15/00(2013.01) C03C 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020110013045 (2011.02.15)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1293205-0000 (2013.07.30)
공개번호/일자 10-2012-0093470 (2012.08.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나종주 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김완두 대한민국 대전광역시 서구
3 임현의 대한민국 대전광역시 서구
4 배종수 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0105252-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.06 수리 (Accepted) 9-1-2012-0054832-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0542798-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0936666-36
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0936664-45
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0199579-11
10 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0268918-46
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0282040-04
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0282042-95
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0518515-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 폴리머 입자들을 포함하는 마스크층을 형성하되, 상기 마스크층은 상기 폴리머 입자들 사이로 상기 기판을 노출하는 개구를 갖는, 상기 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 식각 보호층으로 이용하여 상기 개구로부터 노출된 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 기판 상에 나노 딤플 패턴을 형성하는 단계; 및상기 나노 딤플 패턴의 표면 상에 발수성을 증가시키는 소수성 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노 딤플 패턴을 형성하는 단계 후 상기 마스크층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 마스크층은 상기 폴리머 입자들의 단일층을 포함하는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 마스크층을 형성하는 단계는 스핀 코팅 방법을 이용하여 상기 기판 상에 폴리스틸렌 입자들의 단일층을 형성하는 단계를 포함하는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 단일층 내에서 상기 폴리스틸렌 입자들은 조밀 충진구조를 갖는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판을 포함하고,상기 나노 딤플 패턴을 형성하는 단계는 상기 개구를 통해서 상기 기판 상에 불소 증기를 공급하여 상기 기판을 식각하는 단계를 포함하는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 기판을 식각하는 단계는 상기 불소 증기가 상기 기판 상에서 응축되지 않도록 식각 속도를 조절하여 수행하는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 식각 속도는 250 nm/min 미만(0 초과)인, 나노 딤플 패턴의 형성방법
9 9
기판 상에 폴리머 입자들을 포함하는 마스크층을 형성하되, 상기 마스크층은 상기 폴리머 입자들 사이로 상기 기판을 노출하는 개구를 갖는, 상기 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 마스크층을 식각 보호층으로 이용하여 상기 개구로부터 노출된 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 기판 상에 나노 딤플 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 마스크층을 형성하는 단계는 스핀 코팅 방법을 이용하여 상기 기판 상에 폴리스틸렌 입자들의 단일층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하는 단계는 상기 나노 딤플 패턴의 폭이 상기 개구의 폭보다 커지도록 등방성 식각법을 이용하여 수행하고, 상기 단일층 내에서 상기 폴리스틸렌 입자들은 조밀 충진구조를 갖는, 나노 딤플 패턴의 형성방법
10 10
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 형성방법에 의해여 제조된 나노 딤플 패턴을 포함하고,상기 나노 딤플 패턴의 폭이 상기 나노 딤플 패턴을 제조하기 위한 상기 개구의 폭보다 상기 나노 딤플 패턴의 폭이 상기 나노 딤플 패턴을 제조하기 위한 상기 개구의 폭보다 크고, 상기 나노 딤플 패턴은 발수성을 증가시키는 소수성 코팅층을 포함하는, 나노 구조물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 청정기반전략기술개발사업 생태모사 청정표면 가공 기술 개발 중 위탁과제 ' 대기압 플라즈마 나노 식각기술 개발'