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복수의 단위 양자점을 형성하는 단계,상기 단위 양자점을 용매에 분산시키는 단계,상기 용매에 실리카 졸을 추가하는 단계,상기 용매에 하이드록실기를 포함하는 화합물을 추가하여 상기 단위 양자점을 둘러싸는 산화규소층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 실리카 졸은 TEOS, 염산 및 증류수를 교반시켜 제조하는 양자점 제조 방법
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제5항에서,상기 TEOS : 염산: 증류수는 770 내지 11,600: 1 : 100 내지 1,000의 부피비로 혼합하는 양자점 제조 방법
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제5항에서,상기 단위 양자점: 상기 실리카 졸은 1: 1 내지 80의 중량비인 양자점 제조 방법
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제5항에서,상기 용매는 헥산, 톨루엔 또는 클로로 포름 중 어느 하나인 양자점 제조 방법
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제9항에서,상기 단위 양자점: 상기 용매의 중량은 1: 125 내지 2,500의 중량비인 양자점 제조 방법
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제5항에서,상기 하이드록실기를 포함하는 화합물은 암모니아수, 수산화나트늄(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 테트라메틸암모니움 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide) 또는 테트라에틸암노늄 하이드록사이드(tetraethylammonium hydroxide) 중 어느 하나인 양자점 제조 방법
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제11항에서,상기 단위 양자점: 상기 하이드록실기를 가지는 화합물은 1: 0
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