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기판으로부터 돌출되는 복수개의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성단계;상기 볼록부의 양측벽에 증착되어 상호 이격되는 복수개의 나노패턴을 형성하는 나노패턴 형성단계;상기 나노패턴이 형성되는 기판을 몰드로 하여 상기 나노패턴에 대응되는 함몰패턴을 가지는 임프린팅 스탬프를 제작하는 스탬프 제작단계;상기 임프린팅 스탬프 상에 형성되는 함몰패턴의 폭을 증가시키는 동시에 이웃하는 함몰패턴 간의 이격거리를 감소시키는 함몰패턴 제어단계;를 포함하되,상기 함몰패턴 제어단계에서 제작되는 임프린팅 스탬프를 이용하여 상기 볼록부 형성단계 및 상기 나노패턴 형성단계를 재수행함으로써 나노패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 함몰패턴 제어단계는 산소 플라즈마 에칭(O2 Plasma Etching)을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법
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제1항에 있어서,상기 함몰패턴 제어단계는 상기 임프린팅 스탬프가 수축되도록 가열하거나 자외선 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법
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제3항에 있어서,상기 임프린팅 스탬프의 재질은 금속 산화물 전구체 또는 자외선 경화형 전구체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 볼록부 형성단계는 상기 기판 상에 반응층을 적층한 이후에 상기 반응층의 상면에 상기 볼록부를 형성하고,상기 나노패턴 형성단계에서는 이웃하는 상기 볼록부 사이의 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 상기 반응층 중 적어도 일부가 상기 볼록부의 측벽에 재증착되어 상기 나노패턴을 형성하도록 하되,상기 나노패턴 형성단계 이후에 상기 볼록부를 제거하는 볼록부 제거단계; 및 상기 이웃하는 나노패턴 사이의 기판 상에 적층된 반응층을 제거하는 반응층 제거단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 볼록부 형성단계에서는 상기 이웃하는 볼록부의 사이에 상기 볼록부보다 낮은 높이의 잔류층을 반복 형성하되, 상기 볼록부 형성단계 이후에 상기 볼록부 및 상기 잔류층의 상측에 반응층을 적층하는 반응층 적층단계;를 더 포함하고,상기 나노패턴 형성단계에서는 이웃하는 상기 잔류층 상측의 반응층에 이온빔을 조사함으로써 상기 반응층을 식각하되, 상기 이온빔에 의하여 상기 반응층 중 적어도 일부가 상기 볼록부의 측벽에 재증착되어 상기 나노패턴을 형성하도록 하되,상기 나노패턴 형성단계 이후에 상기 볼록부를 제거하는 볼록부 제거단계; 및 상기 이웃하는 나노패턴 사이의 기판 상에 적층된 반응층을 제거하는 반응층 제거단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노패턴 형성단계에서 상기 기판의 상면과 경사를 이루며 상기 볼록부의 측벽면에 증착물질을 증착함으로써 나노패턴을 형성하되,상기 나노패턴 형성단계 이후에 상기 볼록부의 상측에 적층되는 상기 증착물질만을 선택적으로 제거하는 증착물질 제거단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴 형성방법
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