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프리스탠딩 나노 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015129384
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 프리스탠딩 나노 박막 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 프리스탠딩 나노 박막 제조방법은 제1 기재 상부에 나노 박막을 형성하는 제1 단계; 상기 나노 박막 상부에 제2 기재를 형성하고, 상기 제1 기재를 제거하여 적층체를 형성하는 제2 단계; 상기 적층체에서 상기 제2 기재를 제1 용매로 제거하는 제3 단계; 및 상기 제1 용매를 20 dyne/cm 이하의 계면장력을 갖는 제2 용매로 용매 치환하는 제4 단계를 포함한다.
Int. CL C09J 7/02 (2006.01) B29C 41/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020120033163 (2012.03.30)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1332306-0000 (2013.11.18)
공개번호/일자 10-2013-0110870 (2013.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20131122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최대근 대한민국 대전 유성구
2 황보윤 대한민국 대전광역시 유성구
3 김재현 대한민국 대전 유성구
4 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
5 이학주 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0257539-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051154-02
4 등록결정서
Decision to grant
2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0590648-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기재 상부에 나노 박막을 형성하는 제1 단계;상기 나노 박막 상부에 제2 기재를 형성하고, 상기 제1 기재를 제거하여 적층체를 형성하는 제2 단계;상기 적층체에서 상기 제2 기재를 제1 용매로 제거하는 제3 단계; 및상기 제1 용매를 20 dyne/cm 이하의 계면장력을 갖는 제2 용매로 용매 치환하는 제4 단계를 포함하는 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 나노 박막의 두께는 0
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 나노 박막은 그래핀(Graphene) 또는 카본나노튜브(Carbon Nano Tube)와 같은 탄소 동소체; SiN; SiO2; 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금과 같은 금속; 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), GaAs, GaN 또는 GaP와 같은 반도체 재료; ZnO, ZrO2, TiO2 또는 HfO2와 같은 금속산화물; 폴리티오펜, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리아세틸렌 또는 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 박막화되는 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 제2 기재는 폴리(메틸)아크릴레이트, 폴리스티렌, PDMS(polydimethylsiloxane), 폴리 우레탄계 필름, 수계 점착제, 수용성 점착제(폴리비닐알코올), 초산 비닐 에멀젼 접착제, 핫멜트 접착제, 광경화용(UV, 가시광, 전자선, UV/EB 경화용) 접착제, 광연화용 테이프, PBI(Polybenizimidazole), PI(Polyimide), Silicone/imide, BMI(Bismaleimide), 변성 에폭시 수지, PVB(Polyvinylalcohol)테이프, 접착 테이프(adhesive tape), 풀(glue), 에폭시수지(epoxy resin), 광연화용 테이프, 열 박리성 테이프 또는 수용성 테이프인 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제1 용매는 상기 제2 기재를 선택적으로 제거하는 것으로, 물; 황산, 질산, 불산 또는 수산화나트륨을 포함하는 수용액; 이소프로필알코올(IPA), 프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 메틸이소부틸케톤, 테트라하이드로퓨란(THF), 사염화탄소(CCl4), 헥산, 4-메틸-2-펜타논, 케톤, 메틸에틸케톤, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아마이드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄 및 펜탄으로 이루어진 군에서 선택되는 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 제2 용매는 메톡시-노나플루오로부탄, 에톡시-노나플루오로부탄, 메틸 노나플루오로이소부틸 에테르 또는 메틸 노나플루오로부틸 에테르을 포함하는 알콕시-나노플루오로부탄; C2Cl3F3, C2Cl2H3F, C3Cl2HF5, C5H2F10, 2,2,2-트리플루오로에틸 아크릴레이트, 디클로로디메틸실란, 클로로트리메틸실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 제2 용매는 끓는점이 100℃ 이하인 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 제2 용매를 건조하는 제5 단계를 더 포함하는 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
9 9
제1 기재 상부에 나노 박막을 형성하는 제1 단계;상기 나노 박막 상부에 제2 기재를 형성하고, 상기 제1 기재를 제거하여 적층체를 형성하는 제2 단계;상기 적층체에서 상기 제2 기재를 용매로 제거하는 제3 단계; 및상기 용매에 계면활성제를 첨가하여 상기 용매의 계면장력을 낮추는 제4 단계를 포함하는 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 계면활성제는 불화 계면활성제인 프리스탠딩 나노 박막 제조방법
11 11
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조되는 프리스탠딩 나노 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 지경부-국가연구개발사업(II) 비노광 기반 나노구조체 제작기술 (3/3)
2 지식경제부 한국기계연구원 지경부-국가연구개발사업(II) 유연 나노박막용 대면적 전사 및 연속 생산시스템 기술 개발(2단계 1/3)