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나노 패턴의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015129447
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마스크층을 식각 보호층으로 이용하는 나노 패턴의 형성방법 및 이로부터 제조된 나노 구조물이 제공된다. 일 실시예에 따르면, 기판 상에 나노 응집 입자들을 포함하는 마스크층을 형성한다. 상기 마스크층은 상기 나노 응집 입자들 사이로 상기 기판을 노출하는 개구를 갖는다. 상기 마스크층을 식각 보호층으로 이용하여 상기 개구로부터 노출된 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 기판 상에 나노 패턴을 형성한다.
Int. CL G03F 7/26 (2006.01) G03F 1/68 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020120081787 (2012.07.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1217783-0000 (2012.12.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120042492   |   2012.04.24
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.26)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동호 대한민국 경남 창원시 마산회원구
2 권정대 대한민국 경남 창원시 성산구
3 나종주 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 박기원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
4 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
5 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 중우 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0598911-99
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0599586-10
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2012.08.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2012.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2012-0062628-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0559202-24
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0837407-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0837408-29
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0699522-79
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.11.22 무효 (Invalidation) 1-1-2017-1161840-25
10 보정요구서
Request for Amendment		 2017.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0168495-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2018.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0008994-41
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2018.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0087584-27
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번호 청구항
1 1
기판 상에 기상 증착법을 이용하여 나노 응집 입자들을 포함하는 마스크층을 형성하되, 상기 마스크층은 상기 나노 응집 입자들 사이로 상기 기판을 노출하는 개구를 갖는, 상기 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 마스크층을 식각 보호층으로 이용하여 상기 개구로부터 노출된 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하여, 상기 기판 상에 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,상기 나노 응집 입자들은 상기 기상 증착법을 이용하여 상기 기판 상에 자발적으로 생성되며 열역학적으로 안정한 응결체이고,상기 나노 응집 입자들을 형성하기 위하여 별도의 열처리를 수반하지 않는 것을 특징으로 하는,나노 패턴의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노 패턴을 형성하는 단계 후 상기 마스크층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 마스크층은 화학적 기상 증착법 또는 물리적 기상 증착 방법을 이용하여 상기 기판 상에 형성된 나노 응집 입자들을 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 물리적 기상 증착 방법은 스퍼터링 방법, 진공 증착 방법 및 이온 플레이팅 방법 중 어느 하나 이상을 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리, 세라믹, 금속 및 고분자 재료를 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노 응집 입자는 금속 또는 세라믹을 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 금속은 비스무스(bismuth) 또는 주석(tin)을 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 금속은 상기 비스무스 또는 주석을 열처리하여 형성된 금속산화물을 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 식각은 플라즈마를 이용하는 식각을 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 식각은 불소 증기를 이용하는 식각을 포함하는, 나노 패턴의 형성방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 표면을 선택적으로 식각하는 단계는 상기 나노 패턴의 폭이 상기 개구의 폭보다 커지도록 수행하는, 나노 패턴의 형성방법
12 12
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1 WO2013162174 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2013162174 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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