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나노패턴이 형성된 기판 제조방법

  • 기술번호 : KST2015129551
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노패턴이 형성된 기판 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노패턴이 형성된 기판 제조방법은 기판상에 희생층을 적층하는 희생층적층단계; 상기 희생층상에 패턴층을 적층하는 패턴층적층단계; 상기 패턴층에 상호 이웃하며 돌출형성되는 돌출패턴을 형성하는 돌출패턴형성단계; 상기 돌출패턴 및 상호 이웃한 돌출패턴 사이에 평탄층을 적층하는 평탄층적층단계; 상기 기판의 일부가 노출되도록 상기 돌출패턴상에 위치하는 상기 평탄층과 상기 돌출패턴 하측에 위치하는 상기 희생층과 상기 돌출패턴을 식각하는 식각단계; 상기 평탄층 및 상기 노출된 기판상에 재료층를 적층하는 재료층적층단계; 리프트-오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하여 상기 기판상에 상호 이웃하며 돌출된 나노패턴을 형성하는 나노패턴형성단계;를 포함하며, 상기 식각단계에서 상기 평탄층이 하변의 길이보다 상변의 길이가 긴 역경사를 형성하도록 상기 평탄층의 식각 속도는 상기 희생층과 상기 패턴층의 식각속도 보다 느린 것을 특징으로 한다.이에 의하여, 패턴층이 식각될 때 하변의 길이보다 상변의 길이가 긴 역경사를 형성함으로써, 최종적으로 형성되는 나노구조의 윗면이 평탄하게 형성되어 소자의 효율이 향상되는 나노패턴이 형성된 기판 제조방법이 제공된다.
Int. CL B29C 59/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020120132182 (2012.11.21)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1408181-0000 (2014.06.10)
공개번호/일자 10-2014-0065098 (2014.05.29) 문서열기
공고번호/일자 (20140616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지혜 대한민국 대전 유성구
2 최준혁 대한민국 대전 유성구
3 정주연 대한민국 대전 유성구
4 최대근 대한민국 대전 유성구
5 정준호 대한민국 대전 서구
6 이응숙 대한민국 경남 창원시 마산회원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0958513-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051310-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0837001-32
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0057355-93
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0057382-15
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0296989-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 희생층을 적층하는 희생층적층단계;상기 희생층상에 패턴층을 적층하는 패턴층적층단계;상기 패턴층에 상호 이웃하며 돌출형성되는 돌출패턴을 형성하는 돌출패턴형성단계;상기 돌출패턴 및 상호 이웃한 돌출패턴 사이에 평탄층을 적층하는 평탄층적층단계;상기 기판의 일부가 노출되도록 상기 돌출패턴상에 위치하는 상기 평탄층과 상기 돌출패턴 하측에 위치하는 상기 희생층과 상기 돌출패턴을 식각하는 식각단계;상기 평탄층 및 상기 노출된 기판상에 재료층를 적층하는 재료층적층단계;리프트-오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하여 상기 기판상에 상호 이웃하며 돌출된 나노패턴을 형성하는 나노패턴형성단계;를 포함하며,상기 식각단계에서 상기 평탄층이 하변의 길이보다 상변의 길이가 긴 역경사를 형성하도록 상기 평탄층의 식각속도는 상기 희생층과 상기 패턴층의 식각속도 보다 느린 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 기판 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 희생층 상에 적층되는 상기 평탄층과 상기 패턴층은 상기 나노패턴형성단계에서 제거되는 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 돌출패턴형성단계에서 나노임프린트를 이용하여 돌출패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 기판 제조방법
4 4
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 교과부-국가연구개발사업(II) 플라즈모닉스 융합 나노공정 및 나노구조체 응용기술 개발 (2/3)
2 교육과학기술부 한국기계연구원 교과부-국가연구개발사업(II) 필러층을 이용한 1차원 나노구조체의 병렬 접합기술 개발(1/6) (4/6)
3 지식경제부 한국기계연구원 주요사업-일반 3차원 나노구조체 제조기술 고도화 사업 (2/5)