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합금형의 양자점 코어를 합성하는 제1단계;합성된 상기 양자점 코어 위에 적어도 하나의 껍질층을 형성하는 제2단계; 및상기 제2단계에서 형성된 코어/껍질층 구조의 양자점을 제1단계 및 제2단계에서 사용된 용매를 제거하는 단계 없이, 분산 용매를 이용하여 분산하고 원심분리를 통해 부반응물과 분리하여 최종 형태의 양자점을 수득하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제1단계는 적어도 하나의 금속성분과 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 혼합한 후 110~300℃ 온도로 가열하여 합금형의 양자점 코어를 합성하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 제1단계는 불포화 지방산을 더 추가로 혼합하여 합금형의 양자점 코어를 합성하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 불포화 지방산은 미리스트산, 올레산, 스테아르산, 라우르산, 팔미트산, 엘라이드산, 에이코사논산, 헥사코사논산 및 옥타코사논산 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 양자점 코어는 인듐염, 아연염, 불포화 지방산 및 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 이용하여 제조된 InZnP 코어인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 양자점 코어는 인듐염, 아연염 및 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 이용하여 제조된 InZnP 코어인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 양자점 코어는 인듐염, 갈륨염, 불포화 지방산 및 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 이용하여 제조된 InGaP 코어인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 양자점 코어는 인듐염, 갈륨염, 아연염 및 트리스(트리메틸실릴)포스핀을 이용하여 제조된 InGaZnP 코어인 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제2단계는 상기 양자점 코어의 표면에 아연 스테아레이트와 도데칸에티올을 혼합한 후 150~300℃ 온도로 가열하여 적어도 하나의 ZnS 껍질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 제2단계는 셀레늄 용액을 더 추가로 혼합하여 적어도 하나의 ZnSeS 껍질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제2단계는 아연 스테아레이트와 셀레늄 용액으로 ZnSe 껍질층을 형성하고, 상기 ZnSe 껍질층 표면에 아연 스테아레이트와 도데칸에티올을 추가로 혼합하여 ZnSe/ZnS 껍질층을 추가로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 최종 형태의 양자점은, 구성 성분의 몰비 조절을 통해 크기와 흡수 및 발광 파장대가 조절되는 것을 특징으로 하는 양자점의 제조방법
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제5항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 양자점의 제조방법에 의해 제조된 양자점
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제17항에 있어서,상기 양자점은 다성분계 합금형 구조의 코어와 적어도 하나의 껍질층으로 구성되고, 500~750㎚의 파장에서 발광성을 나타내는 것을 특징으로 하는 양자점
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