| 1 |
1
기판에 인장력을 제공하여, 상기 기판을 신장하는 단계;상기 기판 위에 양자점 입자를 코팅하여 양자점 박막을 형성하는 단계;상기 양자점 입자의 리간드를 교환하는 단계; 및상기 기판의 인장력을 제거하는 단계를 포함하는 양자점 박막의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 기판은 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 기판은, 폴리에스테르 테레프탈레이트, 폴리아미드, 폴리 디메틸 실록산, 폴리에스터, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리이미드 또는 폴리우레탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 양자점 입자는, 13족-15족계 화합물, 12족-16족계 화합물 또는 14족-16족계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서, 상기 양자점 입자는, 상기 리간드를 교환하기 전에, 제1 리간드를 가지며, 상기 리간드를 교환한 후에, 상기 제1 리간드보다 작은 탄소수를 갖는 제2 리간드를 갖는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 제조 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 양자점 입자의 리간드를 교환하는 단계는, 상기 양자점 입자에 알칸티올, 히드라진 또는 하이드록실 아민을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 기판의 신장률은 0
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 양자점 입자의 리간드를 교환한 후에, 상기 기판을 40 내지 100℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 제조 방법
|
