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기판 상에 제1패턴층과 제2패턴층을 반복하여 적층하는 패턴층 적층단계;상기 제1패턴층에 제1개구부를 형성하고, 상기 제1개구부로부터 깊이방향을 따라 연장되는 가상의 직선 상에 정렬되되 상기 제1개구부보다 작은 면적의 제2개구부를 상기 제2패턴층에 형성하는 개구부 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 나노 구조물 제작방법
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제5항에 있어서,상기 제1패턴층과 상기 제2패턴층은 서로 다른 에칭 선택비(etching selectivity)를 갖는 소재로 마련되며,상기 개구부 형성단계는 상기 제1패턴층과 상기 제2패턴층을 동시에 패터닝하여 함몰영역을 형성하는 함몰영역 형성단계; 상기 제1패턴층과 상기 제2패턴층이 상기 함몰영역으로부터 면방향을 따라 점진적으로 제거되어, 각각 제1개구부와 제2개구부를 형성하도록 습식에칭(wet etching)하는 습식 에칭단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 나노 구조물 제작방법
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제6항에 있어서,상기 함몰영역 형성단계는 마스크를 마련하는 마스크 마련단계; 상기 마스크를 통하여 상기 제1패턴층과 상기 제2패턴층을 동시에 건식 에칭(dry etching)하여 상기 함몰영역을 형성하는 건식 에칭단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 나노 구조물 제작방법
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제6항에 있어서,상기 함몰영역 형성단계는, 리프트 오프(Lift-off) 공정을 통하여 상기 제1패턴층과 상기 제2패턴층에 상기 함몰영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 광결정 나노 구조물 제작 방법
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제6항에 있어서,상기 함몰영역 형성단계는, 기계적 가공 또는 레이저 가공을 통하여 상기 제1패턴층과 상기 제2패턴층에 함몰영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 광결정 나노 구조물 제작 방법
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제7항에 있어서,상기 마스크 마련단계는 제1패턴층 또는 상기 제2패턴층 중 최상층에 포토레지스트(photoresist)층을 적층하는 포토레지스트층 적층단계; 상기 포토레지스트 층을 패터닝하는 패터닝 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 나노 구조물 제작방법
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제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 개구부 형성단계 이후에 상기 제1패턴층 및 상기 제2패턴층의 외면에 보호층을 코팅하는 보호층 코팅단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 나노 구조물 제작방법
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