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실리콘층을 준비하는 준비단계;상기 실리콘층 상측에 튜브형상의 음각패턴이 형성된 금속층을 적층하는 적층단계;금속 나노패터닝과 화학적 에칭(Metal-Assisted Chemical Etching) 공정으로 상기 실리콘층을 에칭하여 실리콘 나노튜브를 제조하는 에칭단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 적층단계는 상기 실리콘층 상측에 튜브형상의 양각패턴을 형성하는 패턴형성단계, 상기 실리콘층의 상측으로 금속층을 증착하는 금속층 증착단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 패턴형성단계에서 상기 튜브형상의 양각패턴은 나노임프린트 공정, 노광 공정, 트랜스퍼 프린팅(Transfer Printing) 공정 및 마이크로 컨택 프린팅(Micro Contact Printing) 공정 중에서 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 패턴형성단계와 상기 금속층 증착단계 사이에 상기 튜브형상의 양각패턴에 잔류하는 잔류물을 제거하는 잔류물 제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 적층단계는 상기 실리콘층 상측에 금속층을 증착하는 금속층 증착단계, 상기 실리콘층과 마주보는 면에 튜브형상의 양각패턴이 형성된 스탬프를 상기 금속층에 접촉시키는 스탬프 접촉단계, 상기 튜브형상의 양각패턴에 금속층을 접촉시킨 상태로 상기 스탬프를 상기 금속층으로부터 분리하여 상기 금속층에 튜브형상의 음각패턴을 형성하는 스탬프 제거단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 적층단계는 상기 실리콘층 상측에 금속층을 증착하는 금속층 증착단계, 상기 금속층 상측에 튜브형상의 음각패턴이 형성된 패턴층을 형성하는 패턴층 적층단계, 상기 패턴층의 전면을 에칭하여 상기 금속층 중에서 상기 튜브형상의 음각패턴에 대응되는 영역을 선택적으로 에칭하는 금속층 에칭단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 패턴층 적층단계에서 상기 패턴층은 나노임프린트 공정, 노광 공정, 트랜스퍼 프린팅(Transfer Printing) 공정 및 마이크로 컨택 프린팅(Micro Contact Printing) 공정 중에서 어느 하나의 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 적층단계는 상기 실리콘층과 마주보는 면에 튜브형상의 음각패턴이 형성된 스탬프를 준비하는 스탬프 준비단계, 상기 스탬프에서 상기 실리콘층과 접촉하는 면에 금속을 증착시켜 금속층을 형성하는 금속층 형성단계, 상기 스탬프를 상기 실리콘층 상측에 접촉시켜 상기 금속층을 상기 실리콘층으로 전사하는 금속층 전사단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 튜브형상의 음각패턴 또는 양각패턴은 외경이 100㎚ 내지 5㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 튜브형상의 음각패턴 또는 양각패턴은 외경과 내경의 사이의 두께가 20 nm 내지 500 nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속을 이용하는 화학적 에칭 공정을 이용한 나노튜브 제조방법
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속층은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 납(Pb), 알루미늄(Al) 또는 구리(cu)로 마련되거나, 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 납(Pb), 알루미늄(Al) 또는 구리(cu) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 혼합물로 마련되는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속층의 두께는 2 nm 내지 100 nm 로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 에칭단계에서 사용되는 에칭용액은 불산(HF) 또는 플루오르화암모늄(NH4F) 수용액으로 마련되거나 불산(HF) 또는 플루오르화암모늄(NH4F) 중 어느 하나를 포함하는 혼합액인 것을 특징으로 하는 금속 나노패터닝과 화학적 에칭 공정을 이용한 실리콘 나노튜브 제조방법
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