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양자점 정제 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015130427
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 정제 장치는 서로 대향하고 있는 애노드 전극 및 캐소드 전극, 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 서로 이격되어 형성되어 있으며 양자점 용액이 통과하는 복수개의 양자점 채널을 형성하는 복수개의 절연 부재, 상기 양자점 채널에 형성되어 있으며 상기 양자점 용액의 양자점을 흡착하는 양자점 흡착 부재를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 정제 장치 및 그 제조 방법은 양자점 용액이 통과할 수 있는 양자점 채널을 형성하고, 애노드 전극 위의 양자점 채널에 제1 흡착 미세 전극 및 제1 나노 구조물을 형성함으로써, 애노드 전극의 표면적을 최대화할 수 있으므로 애노드 전극 및 캐소드 전극에 전압을 인가하는 경우 전기 영동에 의한 양자점의 흡착 효과를 최대화할 수 있다.
Int. CL C09K 11/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B01D 57/02(2013.01) B01D 57/02(2013.01) B01D 57/02(2013.01) B01D 57/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130036021 (2013.04.02)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1404158-0000 (2014.05.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140605) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.02)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장원석 대한민국 대전 서구
2 정소희 대한민국 대전 유성구
3 김덕종 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0287702-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0017765-25
4 등록결정서
Decision to grant
2014.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0214659-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
서로 대향하고 있는 애노드 전극 및 캐소드 전극,상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 서로 이격되어 형성되어 있으며 양자점 용액이 통과하는 복수개의 양자점 채널을 형성하는 복수개의 절연 부재,상기 양자점 채널에 형성되어 있으며 상기 양자점 용액의 양자점을 흡착하는 양자점 흡착 부재를 포함하는 양자점 정제 장치
2 2
제1항에서,상기 양자점 흡착 부재는 상기 양자점 채널에 위치하고 있는 복수개의 제1 흡착 미세 전극,상기 제1 흡착 미세 전극 표면에 형성되어 있는 제1 나노 구조물을 포함하는 양자점 정제 장치
3 3
제2항에서,상기 제1 흡착 미세 전극은 격벽 형상인 양자점 정제 장치
4 4
제2항에서,상기 제1 흡착 미세 전극은 기둥 형상인 양자점 정제 장치
5 5
제2항에서,상기 양자점 용액을 상기 양자점 채널에 공급하는 양자점 용액 공급 장치를 더 포함하는 양자점 정제 장치
6 6
제5항에서,상기 제1 흡착 미세 전극은 상기 애노드 전극 위에 형성되어 있는 양자점 정제 장치
7 7
제6항에서,상기 양자점 흡착 부재는 상기 캐소드 전극 위에 형성되어 있으며 상기 양자점 채널에 위치하고 있는 복수개의 제2 흡착 미세 전극,상기 제2 흡착 미세 전극 표면에 형성되어 있는 제2 나노 구조물을 더 포함하는 양자점 정제 장치
8 8
제7항에서,상기 제2 흡착 미세 전극은 격벽 형상인 양자점 정제 장치
9 9
제7항에서,상기 제2 흡착 미세 전극은 기둥 형상인 양자점 정제 장치
10 10
제7항에서,상기 제1 흡착 미세 전극과 상기 제2 흡착 미세 전극은 서로 마주보고 있는 양자점 정제 장치
11 11
제10항에서,상기 제1 나노 구조물 및 제2 나노 구조물은 탄소 나노튜브 또는 금속 나노와이어를 포함하는 양자점 정제 장치
12 12
애노드 전극 위의 양자점 채널 영역에 양자점 용액의 양자점을 흡착하는 양자점 흡착 부재를 형성하는 단계,상기 애노드 전극 위의 절연 영역에 복수개의 절연 부재를 형성하는 단계,상기 절연 부재 위에 상기 애노드 전극과 대향하는 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 양자점 채널 영역에는 상기 애노드 전극, 절연 부재 및 캐소드 전극으로 둘러싸인 양자점 채널이 형성되는 양자점 정제 장치의 제조 방법
13 13
제12항에서,상기 양자점 흡착 부재를 형성하는 단계는 상기 애노드 전극 위의 양자점 채널 영역에 복수개의 제1 흡착 미세 전극을 형성하는 단계,상기 제1 흡착 미세 전극 표면에 제1 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 정제 장치의 제조 방법
14 14
제13항에서,상기 양자점 흡착 부재를 형성하는 단계는상기 캐소드 전극 위에 복수개의 제2 흡착 미세 전극을 형성하는 단계,상기 제2 흡착 미세 전극 표면에 제2 나노 구조물을 형성하는 단계를 더 포함하는 양자점 정제 장치의 제조 방법
15 15
제14항에서,제2 흡착 미세 전극 또는 제2 흡착 미세 전극은 격벽 형상 또는 기둥 형상으로 형성하는 양자점 정제 장치의 제조 방법
16 16
제15항에서,상기 양자점 용액을 공급하는 양자점 용액 공급 장치를 상기 양자점 채널에 연결하는 단계를 더 포함하는 양자점 정제 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 기계연구원 주요사업 나노소재 기반 기능성 소자 적용기술 개발(2/3)