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나노 금속패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015130634
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 금속패턴 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 금속패턴 형성방법은 기판 상에 열가소성 임프린팅 레지스트를 적층하는 임프린팅 레지스트 적층단계; 상기 임프린팅 레지스트 상에 박막필름을 적층하는 박막필름 적층단계; 임프린팅 스탬프를 이용하여 상기 임프린팅 레지스트를 패터닝함으로써, 상측에 상기 박막 필름이 적층된 상태로 돌출되는 제1패턴과 상측에 상기 박막 필름이 적층된 상태로 상기 제1패턴보다 낮은 높이로 돌출되는 제2패턴을 교대로 형성하는 임프린팅 단계;를 포함하고, 상기 임프린팅 단계에서 상기 박막필름은 상기 임프린팅 스탬프에 의하여 파단(fracture)되어 일부는 상기 제1패턴의 상면에 배치되고 나머지는 상기 제2패턴의 상면에 배치되는 것을 특징으로 한다.이에 의하여, 균일한 형태의 함몰형 금속패턴을 용이하게 제작할 수 있는 나노 금속패턴 형성방법이 제공된다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020120008386 (2012.01.27)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1373721-0000 (2014.03.06)
공개번호/일자 10-2013-0087237 (2013.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최준혁 대한민국 대전 유성구
2 정주연 대한민국 대전 유성구
3 이지혜 대한민국 대전 유성구
4 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
5 최대근 대한민국 대전 유성구
6 이응숙 대한민국 경남 창원시 마산회원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0069929-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0088640-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0362133-42
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0686617-02
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0686603-63
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0703153-10
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1019531-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-1019522-20
10 등록결정서
Decision to grant
2013.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0885725-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 열가소성 임프린팅 레지스트를 적층하는 임프린팅 레지스트 적층단계;상기 임프린팅 레지스트 상에 박막필름을 적층하는 박막필름 적층단계;임프린팅 스탬프를 이용하여 상기 임프린팅 레지스트를 패터닝함으로써, 상측에 상기 박막 필름이 적층된 상태로 돌출되는 제1패턴과 상측에 상기 박막 필름이 적층된 상태로 상기 제1패턴보다 낮은 높이로 돌출되는 제2패턴을 교대로 형성하는 임프린팅 단계;를 포함하고,상기 임프린팅 단계에서 상기 박막필름은 상기 임프린팅 스탬프에 의하여 파단(fracture)되어 일부는 상기 제1패턴의 상면에 배치되고 나머지는 상기 제2패턴의 상면에 배치되는 것을 특징으로 하는 나노 금속패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 임프린팅 단계 이후에 상기 제1패턴을 평탄화하여 제거하는 평탄화단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 금속패턴 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 임프린팅 단계에서 상기 박막필름의 파단이 발생할 때까지 상기 임프린팅 스탬프를 고온에서 가압하는 것을 특징으로 하는 나노 금속패턴 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 박막필름 적층단계에서 상기 박막필름은 상기 임프린팅 스탬프에 의하여 파단될 수 있을 정도의 두께로 적층되는 것을 특징으로 하는 나노 금속패턴 형성방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판과 상기 임프린팅 레지스트 간의 접합력이 향상되도록 상기 임프린팅 레지스트 적층단계 이전에 상기 기판 표면을 화학처리하거나 상기 기판 상에 접합증진층(adhesion promotion layer)을 적층하는 것을 특징으로 하는 나노 금속패턴 형성방법
6 6
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 교과부-국가연구개발사업(II) 플라즈모닉스 융합 나노공정 및 나노구조체 응용기술 개발 (1/3)
2 지식경제부 한국기계연구원 주요사업-일반 3차원 나노구조체 제조기술 고도화 사업