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탄소섬유를 지지체로 하여, 상기 탄소섬유의 표면에 구비되는 탄소 나노구조체; 및상기 탄소 나노구조체의 표면을 적어도 부분적으로 덮는 Si계 고분자 막;을 포함하는 초소수성 탄소섬유
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탄소섬유를 지지체로 하여, 상기 탄소섬유의 표면에 구비되는 산화아연 나노구조체; 및상기 산화아연 구조체를 적어도 부분적으로 덮는 Si계 고분자 막;을 포함하는 초소수성 탄소섬유
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Si계 고분자는 폴리디메틸실록산, 폴리디오가노실록산, 오가노하이드로겐폴리실록산 및 오가노폴리실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 초소수성 탄소섬유
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 초소수성 탄소섬유는 물에 대한 접촉각이 160 °이상인 것을 특징으로 하는 초소수성 탄소섬유
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탄소섬유 표면에 탄소 나노구조체 또는 산화아연 나노구조체를 형성시키는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 형성된 탄소 나노구조체 또는 산화아연 나노구조체로 Si계 고분자 막을 코팅하는 단계(단계 2)를 포함하는 초소수성 탄소섬유의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 단계 1의 탄소 나노구조체 또는 산화아연 나노구조체의 형성은 금(Au), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 및 이들의 합금으로 이루어지는 군으로 선택되는 1종의 촉매금속을 이용하여 탄소섬유 표면에 씨드(seed)를 형성시키는 단계(단계 a); 및상기 단계 a에서 형성된 씨드 상으로 탄소 나노구조체 또는 산화아연 나노구조체를 성장시키는 단계(단계 b);를 포함하는 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 초소수성 탄소섬유의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 단계 b의 성장은 화학기상성장(CVD), 아크방전(arc discharge) 및 레이저 어블레이션(laser ablation)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 초소수성 탄소섬유의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 단계 2의 Si계 고분자는 폴리디메틸실록산, 폴리디오가노실록산, 오가노하이드로겐폴리실록산 및 오가노폴리실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 초소수성 탄소섬유의 제조방법
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탄소섬유 표면에 탄소 나노구조체 또는 산화아연 나노구조체를 형성시킨 후, 상기 탄소 나노구조체 또는 산화아연 나노구조체를 Si계 고분자 막으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 표면의 초소수성 처리방법
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제9항에 있어서, 상기 처리방법에 의해 초소수성 처리된 탄소섬유 표면은 물에 대하여 160 °이상의 접촉각을 나타내는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 표면의 초소수성 처리방법
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제1항 또는 제2항의 초소수성 탄소섬유를 포함하는 자정(self cleaning) 구조체
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제1항 또는 제2항의 초소수성 탄소섬유를 포함하는 필터
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