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나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015130933
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 나노미터 스케일의 미세 패턴이 형성된 고분자 층을 갖는 기재를 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표현되는 모노머 또는 폴리머로 처리하는 공정을 포함한다.[화학식 1]A-B-D[화학식 2]A-D상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, A는 플루오로카본기 또는 하이드로카본기이고, B는 하이드로카본기 또는 Si(R1)2-O-[Si(R1)2-O-]n-Si(R1)2-R2(여기서, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, n은 1 내지 100의 정수임)이고, D는 아크릴레이트기, 메타아크릴레이트기, 비닐 에테르기, 아민기(NR32, 여기에서 R3는 H, CH3 또는 C6H5임), 에폭시기, 글리시딜기, 글리시딜 에테르기, 이소시아네이트기(NCO), 에스테르기(COOR4, 여기에서, R4는 H 또는 CH3임), 또는 티올기(SH)이다.
Int. CL B29C 33/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01)
출원번호/일자 1020100132656 (2010.12.22)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1321104-0000 (2013.10.16)
공개번호/일자 10-2012-0071067 (2012.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20131023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최대근 대한민국 대전광역시 유성구
2 이기중 대한민국 대전광역시 동구
3 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
4 정준호 대한민국 대전광역시 서구
5 김기돈 대한민국 서울특별시 중구
6 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
7 정주연 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0849281-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0022309-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0046470-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0247328-82
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0247326-91
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0502712-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노미터 스케일의 미세 패턴이 형성된 고분자 층을 갖는 기재를 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표현되는 모노머 또는 폴리머로 처리하는 공정으로 이루어지는 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법으로서,상기 처리하는 공정은 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2의 모노머 또는 폴리머를 상기 고분자 층을 갖는 기재 표면에 스프레이하거나, 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2의 모노머 또는 폴리머를 상기 고분자 층을 갖는 기재 표면에 위치시킨 후, 누르는 단계; 및얻어진 생성물을 경화시키는 단계로 이루어지는 것인 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 A는 탄소수 1 내지 101의 플루오로카본기 또는 탄소수 1 내지 101의 하이드로카본기인 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 B는 탄소수 1 또는 2의 하이드로카본기 또는 Si(R1)2-O-[Si(R1)2-O-]n-Si(R1)2-R2(여기서, R1은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기이고, n은 1 내지 100의 정수임)인 제조 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 A는 (CFxH3-x)-(C(R5)yH2-y)n(여기에서, R5는 F, CHF2, CH2F 또는 CF3이고, x는 0 내지 3의 정수이고, y는 0 내지 2의 정수이고, n은 0 내지 100의 정수임)의 플루오로카본기 또는 하이드로카본기인 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 모노머 또는 폴리머의 중량평균분자량은 100 내지 3,000인 제조 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 경화시키는 단계는 광경화 또는 열경화로 실시하는 것인 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 광경화는 10mJ 내지 1,000mJ의 자외선을 1초 내지 60분 동안 조사하여 실시하는 것인 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 열경화는 20 내지 100℃의 온도에서 1초 내지 60분 동안 열처리하여 실시하는 것인 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 지경부-국가연구개발사업(II) 비노광 기반 나노구조체 제작기술(2/3)