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염료감응태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131089
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 염료감응태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르는 염료감응태양전지는 서로 대향되게 배치되는 제1기판과 제2기판과, 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 구비되고, 광화학적 반응을 위한 비표면적이 큰 복수개의 돌출부를 갖는 적어도 하나의 나노튜브산화물층을 포함하고, 상기 나노튜브산화물층에 화학적으로 흡착되어, 여기된 전자를 공급할 수 있는 염료층을 포함하는 반도체전극과, 상기 반도체전극과 대향되고 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 마련되어 통전되도록 하는 대향전극 및 상기 반도체전극과 대향전극 사이에 개재되어 산화-환원반응에 의하여 상기 염료층에 전자를 공급해줄 수 있는 전해질용액을 포함하는 것을 특징으로 하는데, 염료층에서 여기된 전자의 이동에 있어서, 전극의 형태(morphology)에 영향을 받게 된다. 양극산화로 얻어진 나노튜브 모양의 표면 형태는 전자의 이동 경로가 직선 형태로 최소화되어 전자의 손실을 줄일 수 있으며, 복수개의 나노튜브의 표면 염료 흡착이 가능하여 넓은 표면적에서 광흡수을 할 수 있으며, 또한 양면의 나노튜브에 흡수 파장대가 다른 염료를 흡착하여 광흡수도를 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/047 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020050105701 (2005.11.04)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0930922-0000 (2009.12.02)
공개번호/일자 10-2007-0048527 (2007.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20091210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울 성북구
2 강윤묵 대한민국 서울 성북구
3 김우영 대한민국 서울 성북구
4 강민구 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2005-0637544-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0703101-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0050485-68
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0152227-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0346015-13
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0346013-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0388529-99
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0587648-34
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0587679-49
14 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0458225-90
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 대향되게 배치되는 제1기판과 제2기판; 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 구비되고, 광화학적 반응을 위한 복수개의 돌출부를 갖는 적어도 하나의 나노튜브산화물층을 포함하고, 상기 나노튜브산화물층에 화학적으로 흡착되어, 여기된 전자를 공급할 수 있는 염료층을 포함하는 반도체전극; 상기 반도체전극과 대향되고 상기 제1기판과 제2기판과의 사이에 마련되어 통전되도록 하는 대향전극; 및 상기 반도체전극과 대향전극 사이에 개재되어 산화-환원반응에 의하여 상기 염료층에 전자를 공급해줄 수 있는 전해질용액;을 포함하고, 상기 반도체전극의 대향전극을 향한 반대면에 배치하되, 상기 반도체전극과 대향되도록 제2대향전극을 더 구비한 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노튜브산화물층은 이산화티탄(TiO2)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 대향전극은 제1기판과의 사이에 제1기판과의 부착력과 전기적 특성의 향상을 위하여 전도성버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 돌출부는 그 폭이 60nm 이상이고, 그 높이가 200nm 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제2대향전극은 제2기판과의 사이에 제2기판과의 부착력과 전기적 특성의 향상을 위하여 전도성버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 반도체전극의 제2대향전극을 향한 면에 형성된 나노튜브산화물층의 표면에는 태양광을 흡수하여 전자전이를 일으킬 수 있는 제2염료층이 흡착되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제1기판 또는 제2기판 중 적어도 하나는 투광성인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
10 10
제 4 항에 있어서, 상기 전도성버퍼층은 이산화주석(SnO2)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
11 11
서로 대향하는 제1기판의 제2기판을 향한 면에 염료감응태양전지의 양극으로 사용될 대향전극을 형성하는 단계; 상기 제2기판의 제1기판을 향한 면에, 플루오로화수소(HF)수용액에 티타늄기판을 함침시켜 복수개의 돌출부를 갖는 나노튜브산화물층을 형성하여 염료감응태양전지의 음극인 반도체전극을 형성하는 단계; 상기 나노튜브산화물층에 흡착되어, 태양광을 조사받아 반도체전극에 여기된 전자를 전달하는 염료층을 형성하는 단계; 상기 대향전극과 반도체전극을 조립하고, 상기 대향전극상에 형성된 미세구멍을 통하여 산화-환원 반응으로 염료층에 전자를 공급하는 전해액을 주입하는 단계; 및 상기 대향전극과 대향하도록 배치하되, 그 사이에 상기 반도체전극을 위치하도록 하여 제2대향전극을 더 구비하여 상기 반도체전극과 조립하고, 상기 제2대향전극상에 형성된 제2미세구멍을 통하여 산화-환원 반응으로 제2염료층에 전자를 공급하는 전해액을 주입하는 단계;를 포함하는 염료감응태양전지의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 티타늄기판을 양극으로 하고, 양극산화법을 이용하여 나노튜브산화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지의 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 플루오로화수소(HF)수용액에 티타늄기판을 함침시키는 시간은 900초 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응태양전지의 제조방법
14 14
삭제
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.