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나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한메모리 소자
- 기술번호 : KST2015131432
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한 메모리 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 나노선은, 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 에 의해 구성된다. 본 발명에 의하면, 수직이방성을 가지는 나노선에서 주어진 재료에 대하여 자벽이동을 시키기 위한 임계전류밀도가 상용화를 위해 요구되는 특정값 이하를 만족하는 최적의 나노선 폭 및 두께를 결정하여, 전류 구동 자벽 이동을 이용한 메모리 소자를 구동할 수 있는 전류 밀도가 이하가 되도록 설계할 수 있어서, 현재 상용되고 있는 나노선에서의 자벽 이동을 시키기 위한 전류 밀도보다 적어도 10배 이상 낮은 값을 가지므로, 고 전력 소모 및 주울열에 의한 소자의 오작동 문제를 해결할 수 있으며, 저렴한 비용으로 메모리 소자를 제작할 수 있는 효과가 있다. |
|---|---|
| Int. CL | G11B 9/02 (2011.01) G11C 11/22 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020070126001 (2007.12.06) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단, 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0907471-0000 (2009.07.06) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0059250 (2009.06.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20090713) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.12.06) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 2 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이경진 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 2 | 이현우 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 3 | 정순욱 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 현종철 | 대한민국 | 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 2 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2007.12.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0877971-77 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.12.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5195152-79 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.08.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.09.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0056060-18 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0089840-04 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0254530-35 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.04.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0254558-13 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0275290-55 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 하기의 식 1에 따라 구성되고, 상기 전류 밀도 Q와 자벽의 감자 계수는 (은 자벽이동을 위한 임계 전류 밀도)의 관계를 가지고 있고, 상기 는 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 의 함수이며, 는 미만인 값이고, 0〈≤4인 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 Fe, Co, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 희토류 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 4 |
4 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 하기의 식 2에 따라 구성되고, 상기 전류 밀도 Q와 자벽의 감자 계수는 (은 자벽이동을 위한 임계 전류 밀도)의 관계를 가지고 있고, 상기 는 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 의 함수이며, 는 미만인 값이고, 0〈≤(41/18)2인 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 Fe, Co, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 희토류 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 7 |
7 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 하기의 식 3에 따라 구성되고, 상기 전류 밀도 Q와 자벽의 감자 계수는 (은 자벽이동을 위한 임계 전류 밀도)의 관계를 가지고 있고, 상기 는 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 의 함수이며, 는 미만인 값이고, 0〈≤(127/54)2인 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 Fe, Co, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 희토류 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 10 |
10 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 하기의 식 4에 따라 구성되고, 상기 전류 밀도 Q와 자벽의 감자 계수는 (은 자벽이동을 위한 임계 전류 밀도)의 관계를 가지고 있고, 상기 는 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 의 함수이며, 는 미만인 값이고, 0〈≤(4216/1730)2인 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 Fe, Co, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 희토류 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 13 |
13 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산 되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 하기의 식 5에 따라 구성되고, 상기 전류 밀도 Q와 자벽의 감자 계수는 (은 자벽이동을 위한 임계 전류 밀도)의 관계를 가지고 있고, 상기 는 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 의 함수이며, 는 미만인 값이고, 0〈≤(989/283)2인 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 Fe, Co, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 희토류 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 16 |
16 수직 자기 이방성을 가지는 나노선에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질인 강자성체의 단위면적당 포화 자화양, 자벽 두께 및 스핀 분극률에 의해 연산되는 전류 밀도 가 일 때, 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 에 따른 및 가 하기의 식 6에 따라 구성되고, 상기 전류 밀도 Q와 자벽의 감자 계수는 (은 자벽이동을 위한 임계 전류 밀도)의 관계를 가지고 있고, 상기 는 상기 나노선의 자벽 두께 , 상기 나노선의 선 폭 및 상기 나노선의 두께 의 함수이며, 는 미만인 값이고, 0〈≤(14900/4232)2 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 Fe, Co, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 18 |
18 제 16 항에 있어서, 상기 나노선의 구성 물질은 희토류 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노선 |
| 19 |
19 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 나노선을 포함하는 전류 인가 자벽 이동을 이용한 메모리 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08300445 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20110007559 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | WO2009072819 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2011007559 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8300445 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | WO2009072819 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0907471-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20071206 출원 번호 : 1020070126001 공고 연월일 : 20090713 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090630 청구범위의 항수 : 19 유별 : G11B 9/02 발명의 명칭 : 나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한메모리 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2009년 07월 07일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2012년 06월 15일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2013년 06월 21일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2014년 06월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 920,640 원 | 2015년 11월 03일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2016년 06월 15일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 575,400 원 | 2017년 07월 03일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 642,500 원 | 2018년 07월 02일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 642,500 원 | 2019년 07월 02일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 642,500 원 | 2020년 07월 01일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2007.12.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0877971-77 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.12.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5195152-79 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5034712-96 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.08.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2008.09.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0056060-18 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2009.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0089840-04 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0254530-35 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.04.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0254558-13 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 10 | 등록결정서 | 2009.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0275290-55 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345096817 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2001 |
| 연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1340010230 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2001 |
| 연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1340012815 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1105 |
| 연구과제명 | BK21물리사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1340018068 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과06A1101 |
| 연구과제명 | 물리학글로벌리더양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
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