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플라즈마 표면 개질에 의한 금속 자성체 나노와이어를포함하는 전계방출 표시소자와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131136
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 자성체 나노와이어팁을 포함하는 전계방출 표시(FED, field emission display) 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 플라즈마 표면 개질(plasma surface modification)에 의한 금속 자성체 나노와이어를 포함하는 전계방출 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 복수의 화소(pixel) 영역이 정의된 제1 기판 및 상기 제1 기판과 이격(separated)된 제2 기판; 상기 제1 기판 상에 적층되어 형성된 음극 전극(cathode electrode); 상기 음극 전극 상에 형성되고 전압 인가 시 전자를 방출하는 전자방출용 금속 자성체 나노와이어팁(metal magnetic nano-wire tip); 상기 제2 기판 하부에 적층되어 형성된 양극 전극(anode electrode); 및 상기 양극 전극의 하부에 형성되어 상기 전자와 충돌하면 광(light)을 방사하는 형광체를 포함하고, 상기 형광체로부터의 방사된 상기 광이 상기 제2 기판을 투과하여 외부로 방사되는 것을 특징으로 하는 고휘도 및 전기적, 열적으로 안정한 전계방출 소자를 제공한다.전계방출 표시소자, FED, 금속 자성체 나노와이어, 플라즈마 표면개질
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020060082490 (2006.08.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0809526-0000 (2008.02.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진수 대한민국 서울시 중랑구
2 박동혁 대한민국 서울시 성북구
3 이선정 대한민국 서울시 관악구
4 이용백 대한민국 서울시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0624768-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0038947-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0508700-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0829532-88
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0829533-23
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0829529-40
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0090526-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
복수의 화소(pixel) 영역이 정의된 제1 기판 및 상기 제1 기판과 이격(separated)된 제2 기판;상기 제1 기판 상에 적층되어 형성된 음극 전극(cathode electrode);상기 음극 전극 상에 형성되고 전압 인가 시 전자를 방출하는 전자방출용 금속 자성체 나노와이어팁(magnetic nano-wire tip);상기 제2 기판 하부에 적층되어 형성된 양극 전극(anode electrode); 및상기 양극 전극의 하부에 형성되어 상기 전자와 충돌하면 광(light)을 방사하는 형광체를 포함하고, 상기 금속 자성체 나노와이어팁은 플라즈마 표면개질(plasma surface modification) 처리를 수행한 것이며,상기 형광체로부터의 방사된 상기 광이 상기 제2 기판을 투과하여 외부로 방사되는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 자성체 나노와이어팁은 솔루션 드롭 캐스팅(SDC, solution drop casting) 공정을 통하여 상기 음극 전극 상에 균일하게 분산시킨 금속 자성체 나노와이어인 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 금속 자성체 나노와이어팁은 알루미늄을 양극산화시켜 형성된 AAO(anodic aluminium oxide) 템플릿트(template)를 이용하여 전기도금(electro-deposition) 공정을 통하여 제조된 것을 특징으로 하는 전계방출 소자
4 4
삭제
5 5
복수의 화소(pixel) 영역이 정의된 제1 기판과 상기 제1 기판과 이격(separated)된 제2 기판을 형성하는 단계;상기 제1 기판 상에 음극 전극(cathode electrode)을 적층하여 형성하는 단계;상기 음극 전극 상에 전압 인가 시 전자를 방출하는 전자방출용 금속 자성체 나노와이어팁(nano-wire tip)을 형성하는 단계;상기 제2 기판 하부에 양극 전극(anode electrode)을 적층하여 형성하는 단계; 및상기 양극 전극의 하부에 상기 전자와 충돌하면 광을 방사하는 형광체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 자성체 나노와이어팁은 플라즈마 표면개질(plasma surface modification) 처리를 수행한 것을 특징으로 하는 전계방출 소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 금속 자성체 나노와이어팁은 솔루션 드롭 캐스팅(SDC, solution drop casting) 공정을 통하여, 상기 음극 전극 상에 균일하게 분산 시킨 금속 자성체 나노와이어인 것을 특징으로 하는 전계방출 소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 금속 자성체 나노와이어팁은 알루미늄을 양극산화시켜 형성된 AAO 템플레이트(anodic aluminium oxide template)를 이용하여 전기도금(electro-deposition) 공정을 통하여 제조된 것임을 특징으로 하는 전계방출 소자의 제조방법
8 8
삭제
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