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산화아연 나노와이어의 표면에 황화아연 양자점이 분포되어있는 형태의 발광 나노와이어 이종구조 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131064
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화아연(ZnO) 나노와이어의 표면에 규칙 또는 불규칙하게 ZnS 양자점(quantum dot)을 분포시켜줌으로써, 산화아연의 주발광 파장역과 황화아연의 불순물 발광 파장역의 중간영역이면서 보다 넓은 가시광선 영역에서의 발광성능을 발현할 수 있는 발광 나노와이어 이종구조가 제공된다. 본 발명에 따른 발광 나노와이어 이종구조는 산화아연(ZnO) 나노와이어의 표면에 황화아연 양자점이 불규칙하게 분포되어 있으며, 산화아연 고유의 주발광 파장영역과 황화아연의 불순물 레벨 발광 파장영역의 중간영역의 파장대에서 발광특성을 보이는 것을 특징으로 한다.발광, 나노와이어, 산화아연, 황화아연, 양자점, 수용액법
Int. CL B82B 1/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 20/00 (2011.01) C01G 9/02 (2011.01)
CPC C09K 11/54(2013.01) C09K 11/54(2013.01) C09K 11/54(2013.01) C09K 11/54(2013.01) C09K 11/54(2013.01) C09K 11/54(2013.01)
출원번호/일자 1020070009690 (2007.01.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0785525-0000 (2007.12.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이정철 대한민국 경기 안양시 동안구
3 곽우철 대한민국 서울 성동구
4 김기은 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0092871-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0068980-88
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0632023-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연(ZnO) 나노와이어의 표면에 황화아연 양자점이 불규칙하게 분포되어 있으며, 상기 산화아연 고유의 주발광 파장영역과 상기 황화아연의 불순물 레벨 발광 파장영역의 중간영역의 파장대에서 발광특성을 보이는 것을 특징으로 하는 발광 나노와이어의 이종구조
2 2
제 1 항에 있어서,상기 중간영역의 파장대는 410~420nm인 것을 특징으로 하는 발광 나노와이어의 이종구조
3 3
(a) 1-헥사데실라민(1-Hexadecylamine)과 1-옥타데신(1-Octadecene)이 1:2 ~ 2:1의 무게비로 혼합되어 있는 용매에 황(S)을 첨가하여 황 수용액을 제조하는 단계;(b) 상기 황 수용액에 c-축 배양된 산화아연(ZnO) 나노와이어를 침전시키고 상기 황 수용액을 냉각시키는 단계;(c) 상기 나노와이어가 침전되어 있는 상기 황 수용액에 디에틸 징크(Diethyl-Zinc)를 첨가하고 일정시간 동안 일정온도에서 가열해주어 황화아연 양자점을 생성시키는 단계;(d) 가열된 합성용액을 냉각한 후 알콜을 첨가하여 생성된 상기 황화아연 양자점을 투입된 상기 산화아연(ZnO) 나노와이어의 표면에 침전시켜주는 단계; 및(e) 표면에 황화아연 양자점이 분포되어 있는 상기 산화아연 나노와이어를 불활성기체 분위기에서 열 처리해 주는 단계를 포함하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 1-헥사데실라민(1-Hexadecylamine)은 5g, 1-옥타데신(1-Octadecene)은 5g, 황(S)은 3mmol, 디에틸 징크는 0
5 5
제 3 항에 있어서,상기 황(S)은 80~120℃에서 0
6 6
제 3 항에 있어서,상기 (b) 단계에서의 냉각온도는 30~60℃인 것을 특징으로 하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
7 7
제 3 항에 있어서,상기 (c) 단계에서의 가열 시간은 1~3시간이고, 가열온도는 200~400℃인 것을 특징으로 하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
8 8
제 3 항에 있어서,상기 (c) 단계 이후, (d) 단계 이전에는 가열된 황화아연 양자점이 생성된 수용액을 50~70℃로 냉각해주는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
9 9
제 3 항에 있어서,상기 (e) 단계에서의 열처리 온도는 350~450℃인 것을 특징으로 하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
10 10
제 3 항에 있어서,상기 (e) 단계에서의 열처리 시간은 30분인 것을 특징으로 하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
11 11
제 3 항에 있어서,상기 (d) 단계에서 사용되는 알콜은 1-부탄올(1-Butanol)인 것을 특징으로 하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
12 12
제 3 항에 있어서,상기 (e) 단계에서 사용되는 상기 불활성 기체는 아르곤(Ar) 가스인 것을 특징으로 하는 이종구조를 가지는 발광 나노와이어의 제조방법
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