맞춤기술찾기

이전대상기술

전도성 유기물 전극 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015131313
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 몰딩(Molding) 법을 이용한 전도성 유기물 전극 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 몰딩(Molding) 법을 이용하여 고가의 장비가 불필요하여 낮은 제작 단가로 제작이 가능할 뿐만 아니라, 간단한 공정을 통해 미세 전극을 제작하고 에지 러프니스(edge roughness)를 줄임으로써 높은 전기 전도도 특성을 얻을 수 있는 전도성 유기물 전극 형성 방법에 관한 것이다. 몰딩법, 전도성 유기물, 전극, PDMS
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020070100297 (2007.10.05)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0897230-0000 (2009.05.06)
공개번호/일자 10-2009-0035170 (2009.04.09) 문서열기
공고번호/일자 (20090514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.05)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박정호 대한민국 서울 성북구
2 김중석 대한민국 서울 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0716346-75
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0221449-37
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062069-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0597886-85
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0052200-02
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0115771-50
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0115770-15
10 등록결정서
Decision to grant
2009.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0179186-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판 상에 포토레지스터를 도포하고 에칭하여 패턴을 형성하는 단계와; (b) PDMS를 기판 상에 도포하는 단계와; (c) 상기 PDMS가 건조하여 PDMS 몰드가 형성되면 상기 실리콘 기판을 분리하 는 단계와; (d) 전사 기판 상에 상기 분리된 PDMS 몰드를 본딩하는 단계와; (e) 주사기를 통해 PDMS 몰드 외부에서 용해성 유기물을 주입한 후, 베이킹 또는 건조에 의해 상기 주입된 유기물을 기판에 고정하고 형태를 유지시켜, 유기물 패턴층을 형성하는 단계; (f) 상기 PDMS 몰드를 전사기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기물 전극 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계는 실리콘 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계와; 포토리소그라피 공정에 의해 패턴을 형성하는 단계와; 실리콘 기판을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기물 전극 형성 방법
3 3
제 2항에 있어서, 실리콘 기판을 에칭하는 단계는 에칭 두께에 따라 유기물 패턴층의 두께가 형성되는 것을 특징으로 하는 전도성 유기물 전극 형성 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 (d) 단계는 전사 기판으로 플라스틱 또는 금속 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기물 전극 형성 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 주입되는 유기물은 폴리(3-헥실티오펜)[Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)], Dihexylquaterthiophene(DH4T), F8T2, FTTF, 페릴린(Perylene) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 유기물 전극 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 고려대학교 세계유수연구소 유치지원사업 바텔연구소 서울유치 및 NBT 연구기반조성사업