| 1 |
1
나노 임프린팅 방식을 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법으로서,(a) 기판위에 레지스트층을 형성하고, 요철이 형성된 스탬프를 상기 레지스트층에 접촉시켜 상기 레지스트층에 상기 스탬프의 요철 패턴을 전사하는 단계;(b) 상기 레지스트층에 형성된 요홈부 영역에 드러난 상기 기판위에 메모리층을 형성하는 단계;(c) 상기 메모리층들 사이에 위치하는 레지스트층을 제거하는 단계; 및(d) 상기 기판에 대해서 이온 주입 공정을 수행하여 상기 메모리층들 사이에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 메모리층은 터널 절연막, 전하 포획층, 차단 절연막, 및 게이트 전극층이 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계는(a1) 자외선에 경화되는 물질을 이용하여 상기 레지스트층을 상기 기판위에 형성하는 단계;(a2) 요철부가 형성된 투명 재질의 스탬프를 상기 레지스트층에 접촉시키는 단계; 및(a3) 상기 스탬프를 통해서 상기 레지스트층으로 자외선을 조사하여 상기 레지스트층을 경화시켜 상기 요철부의 형상을 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는(b1) 상기 기판위에 터널 절연막, 전하 포획층, 차단 절연막, 및 게이트 전극층을 순차적으로 증착하여 상기 메모리층을 형성하는 단계; 및(b2) 상기 (d) 단계에서 수행되는 이온 주입 공정에서 상기 메모리층을 보호하는 보호층을 상기 게이트 전극층 위에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 6 |
6
제 4 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 7 |
7
제 4 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 8 |
8
제 4 항에 있어서, 상기 (d) 단계는상기 기판에 대해서 이온 주입 공정을 수행하여 상기 메모리층들 사이에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및상기 보호층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 9 |
9
나노 임프린팅 방식을 이용한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법으로서,(a) 기판위에 메모리층을 형성하는 단계;(b) 상기 메모리층위에 레지스트층을 형성하고, 요철이 형성된 스탬프를 상기 레지스트층에 가압하여 상기 레지스트층에 상기 스탬프의 요철 패턴을 전사하는 단계;(c) 상기 레지스트층의 요홈부 아래에 형성된 메모리층을 상기 기판이 드러나도록 식각하는 단계; 및(d) 상기 레지스트층을 제거하고 상기 기판에 이온 주입 공정을 수행하여 상기 메모리층들 사이에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하고,상기 메모리층은 터널 절연막, 전하 포획층, 차단 절연막, 및 게이트 전극층이 순차적으로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서, 상기 (a) 단계는(a1) 상기 기판위에 터널 절연막, 전하 포획층, 차단 절연막, 및 게이트 전극층을 순차적으로 증착하여 상기 메모리층을 형성하는 단계; 및(a2) 상기 (d) 단계에서 수행되는 이온 주입 공정에서 상기 메모리층을 보호하는 보호층을 상기 게이트 전극층 위에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서, 상기 전하 포획층은 질화막, 고유전상수를 갖는 물질, 및 비정질 폴리 실리콘 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서, 상기 전하 포획층은텅스텐, 몰리브덴, 코발트, 니켈, 백금, 로듐, 팔라듐 및 이리듐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 금속 또는 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 14 |
14
제 11 항에 있어서, 상기 전하 포획층은실리콘, 게르마늄, 실리콘과 게르마늄의 혼합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물로 구성되는 그룹에서 선택되는 하나의 반도체 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
| 15 |
15
제 11 항에 있어서, 상기 (d) 단계 이후에 상기 보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로하는 비휘바성 메모리 소자 제조 방법
|
| 16 |
16
제 9 항에 있어서, 상기 (b) 단계는(b1) 상기 메모리층위에 레지스트층을 형성하고, 유리 전도 온도 이상의 온도에서 요철이 형성된 스탬프를 상기 레지스트층에 접촉시켜 가압하는 단계; 및(b2) 상기 기판을 냉각시키고 상기 스탬프를 상기 레지스트층에서 분리하여 상기 레지스트층에 상기 스탬프의 요철 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
|
