맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 소자용 다이싱 소오

  • 기술번호 : KST2015131401
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노스케일의 반도체 소자용 다이싱 소오에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 정밀제어가 가능한 압전체를 이용하여 웨이퍼 하부에 크랙을 형성하고 상기 크랙 상부를 가압함으로써 나노스케일의 반도체 소자를 정확하게 원하는 크기로 절달할 수 있어서 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자용 다이싱 소오에 관한 것이다. 나노스케일, 반도체 소자, 다이싱 소오, 압전체
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 21/301 (2011.01)
CPC H01L 21/67092(2013.01) H01L 21/67092(2013.01) H01L 21/67092(2013.01)
출원번호/일자 1020070116250 (2007.11.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0871561-0000 (2008.11.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.14)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황성우 대한민국 서울 성북구
2 홍병학 대한민국 서울 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0817859-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0055201-81
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0589651-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼 하부에서 형성되어 압전체를 이용한 정밀 제어를 통해 절단된 위치의 웨이퍼 하부에 크랙을 형성하는 스크라이빙 유닛와;상기 웨이퍼 상부에 형성되어 상기 스크래치가 형성된 상부를 가압하여 웨이퍼를 절단하는 절단 유닛 및;상기 스크라이빙 유닛과 절단 유닛을 제어하는 제어유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 다이싱 소오
2 2
제 1 항에 있어서,상기 스크라이빙 유닛은인가되는 전압에 따라 길이가 변화하는 압전체와 상기 압전체 상에 형성되어 웨이퍼 하부에 크랙을 형성하는 스크라이빙 소오를 포함하는 스크라이빙 부재와;상기 압전체와 스크라이빙 톱을 수용하고 웨이퍼를 지지하는 하부 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 다이싱 소오
3 3
제 1 항에 있어서,상기 절단 유닛은웨이퍼를 가압하여 절단하는 브레이크와;상기 브레이크를 수용하고 절단될 웨이퍼를 고정하는 상부 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 다이싱 소오
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제어 유닛은상기 스크라이빙 유닛의 압전체에 인가되는 전압을 제어하는 압전체 제어모듈과;상기 스크라이빙 유닛과 절단 유닛의 지지부재 상하 이동을 제어하는 지지부재 제어모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 다이싱 소오
5 5
제 4 항에 있어서,상기 압전체 제어모듈은형성되는 크랙의 깊이에 따라 압전체에 인가되는 전압의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 다이싱 소오
6 6
제 2 항 또는 제 3항에 있어서,상기 하부 지지부재 및 상부 지지부재는상기 웨이퍼를 지지하는 지지점을 제공하는 돌기를 더 포함는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 다이싱 소오
7 7
제 6항에 있어서,상기 돌기는상부 지지부재의 돌기가 하부 지지부재의 돌기보다 안쪽에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 다이싱 소오
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.