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탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 투명 게이트 전극제조 방법 및 이에 의해 제조된 전계효과소자

  • 기술번호 : KST2015131510
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법 및 이에 의해 제조된 전계효과소자를 개시한다. 본 발명은 화학 처리를 통해 카르복실기로 기능화된 탄소나노튜브 수용액을 제공하는 단계, 고분자 기판을 처리하여 상기 고분자 기판의 표면을 아민기로 기능화 하는 단계 및 상기 고분자 기판에 게이트 전극에 해당하는 상기 탄소나노튜브 박막을 형성하기 위해, 상기 탄소나노튜브 수용액에 상기 아민기로 기능화된 고분자 기판을 넣고 미리 설정된 시간 동안 유지시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 간단한 공정으로 원하는 밀도의 탄소나노튜브 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다. 탄소나노튜브, 전계효과소자, 게이트 전극, 소스, 드레인, 기능화
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/772 (2011.01)
CPC H01L 29/413(2013.01) H01L 29/413(2013.01)
출원번호/일자 1020080008972 (2008.01.29)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0954325-0000 (2010.04.15)
공개번호/일자 10-2009-0083039 (2009.08.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.29)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신건철 대한민국 서울 성북구
2 하정숙 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0073983-13
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0020586-63
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0110756-79
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062485-28
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0002297-63
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0139405-30
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0191167-77
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0191150-02
12 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0154267-79
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법에 있어서, (a) 화학 처리를 통해 카르복실기로 기능화된 탄소나노튜브 수용액을 제공하는 단계; (b) 고분자 기판을 처리하여 상기 고분자 기판의 표면을 아민기로 기능화 하는 단계; 및 (c) 상기 고분자 기판에 게이트 전극에 해당하는 상기 탄소나노튜브 박막을 형성하기 위해, 상기 탄소나노튜브 수용액에 상기 아민기로 기능화된 고분자 기판을 넣는 단계를 포함하되, 상기 고분자 기판은 PES(Polyethylenesulfonate) 기판이며, 상기 (b) 단계는, 상기 PES 기판을 오존 분위기 하에서 UV 처리하는 단계; 및 상기 PES 기판을 APS(aminopropyltriethoxysilane) 수용액에 넣는 단계를 포함하며, 상기 카르복실기와 상기 아민기의 반응으로 상기 PES 기판에 형성된 탄소나노튜브 박막은 전계효과소자의 게이트 전극으로 기능하는 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 탄소나노튜브를 황산 및 질산의 혼합 용액에 넣고 초음파 처리기(sonicator)를 이용하여 화학 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 황산과 질산의 부피 비는 4:1인 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 화학 처리가 완료된 후, 소정의 기공 사이즈를 갖는 테플론 필터를 이용하여 황산, 질산 및 탄소 불순물 중 적어도 하나를 여과하는 단계를 더 포함하는 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 (a) 단계는, 상기 불순물의 여과 후 상기 기능화된 탄소나노튜브를 세척하고, 진공 조건하에서 건조시키는 단계(a1); 상기 건조된 탄소나노튜브를 정제된 물에 분산시키는 단계(a2); 및 상기 a1 내지 상기 a2 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 탄소나노튜브를 황산 및 과산화수소의 혼합 용액에 넣고 초음파 처리기(sonicator)를 이용하여 화학 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서, 상기 고분자 기판의 담금 시간은 적어도 120분 이상 유지되는 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
9 9
삭제
10 10
탄소나노튜브를 이용한 소자용 전극 제조 방법에 있어서, (a) 탄소나노튜브를 산성 용액에 넣고 화학 처리하여 상기 탄소나노튜브를 카르복실기로 기능화하는 단계; (b) 상기 화학 처리후 불순물을 여과하는 단계; (c) 상기 불순물의 여과 후 상기 기능화된 탄소나노튜브를 세척하고, 진공 조건하에서 건조시키는 단계; 및 (d) 상기 건조된 탄소나노튜브를 정제된 물에 분산시킨 수용액을 제공하는 단계를 포함하되, 상기 탄소나노튜브 수용액에 고분자 기판이 침지되어 상기 고분자 기판 상에 전극에 해당하는 탄소나노튜브 박막이 형성되며, 상기 고분자 기판은 PES(Polyethylenesulfonate) 기판이며, 상기 PES 기판을 오존 분위기 하에서 UV 처리한 후 APS(aminopropyltriethoxysilane) 수용액에 넣어 상기 PES 기판 표면을 아민기로 기능화하며, 상기 탄소나노튜브 박막은 전계효과소자의 게이트 전극으로 기능하는 탄소나노튜브를 이용한 전계효과소자용 게이트 전극 제조 방법
11 11
전계효과소자에 있어서, 아민기로 기능화된 고분자 기판; 화학 처리를 통해 카르복실기로 기능화된 탄소나노튜브 수용액 조건 하에서 아민기로 기능화된 고분자 기판 상에 형성되는 탄소나노튜브 박막-상기 탄소나노튜브 박막은 게이트 전극으로 기능함-; 상기 게이트 전극을 보호하는 게3이트 절연층 및 상기 게이트 절연층 상에 형성되는 소스-드레인 전극을 포함하되, 상기 고분자 기판은 PES(Polyethylenesulfonate) 기판이며, 상기 PES 기판을 오존 분위기 하에서 UV 처리한 후 APS(aminopropyltriethoxysilane) 수용액에 넣어 상기 PES 기판 표면을 아민기로 기능화하는 전계효과소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학재단 청정화공시스템연구실 국가지정연구실 SIP 소자 응용을 위한 상향식 다층 패터닝 공정