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카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131748
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 태양전지용 기판 제조 방법은 (a)유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드 나노와이어(CdS nano-wire)를 증착하는 단계; 및 (b)상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 MEH-PPV 복합고분자(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene])를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 태양전지용 기판 제조 방법을 포함하여 제조된 태양전지는 FTO 글래스 기판 등의 유리 기판 상에 형성된 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 통하여, 전자-정공 쌍의 재결합을 억제할 수 있어서, 보다 향상된 태양전지 특성을 나타낼 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020090008641 (2009.02.03)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0089413 (2010.08.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.03)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성윤모 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이정철 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0067718-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428702-73
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0025152-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0453242-18
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0820111-19
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0096938-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)유리 기판 상에 카드뮴 썰파이드 나노와이어(CdS nano-wire)를 증착하는 단계; 및 (b)상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 MEH-PPV 복합고분자(poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1, 4-phenylenevinylene])를 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, (c)100~140℃에서 8~12분동안 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 유리 기판은 플로린 도핑된 틴옥사이드 글래스(FTO Glass) 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (a)단계는 450~500℃에서 화학기상증착법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 (a)단계는 흑연화 카본 블랙(graphitized carbon black)과 카드뮴 썰파이드가 1:1중량비로 혼합된 분말이 볼밀된 것을 상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어의 소스로 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 (a)단계는 반응용기 내에 PVA(poly-vinyl alcohol) 코팅된 비스무스 촉매를 공급하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 (a)단계는 반응용기 내에 분위기 가스로서 수소 가스 및 아르곤 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 카드뮴 나노와이어는 50~100nm의 직경으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 (b)단계는 MEH-PPV 복합고분자가 함유된 pyridine 용액을 스핀 코팅하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 기판 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 pyridine 용액은 MEH-PPV 복합고분자가 0
11 11
제1항 내지 제10항 중 어느 하나의 방법으로 카드뮴 썰파이드/MEH-PPV 하이브리드 구조를 갖는 태양전지용 기판을 제조하는 단계; 및 상기 태양전지용 기판에 형성된 MEH-PPV 복합고분자 상에 금 전면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 금 전면 전극은 진공상태에서 쉐도우 마스크(Shadow Mask)를 이용하여 상기 MEH-PPV 고분자 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
13 13
유리 기판; 상기 유리 기판 상에 형성된 카드뮴 썰파이드 나노와이어; 상기 카드뮴 썰파이드 나노와이어 표면에 형성된 MEH-PPV 복합고분자; 및 상기 MEH-PPV 복합고분자 상에 형성된 금(Au) 전면 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
14 14
제13항에 있어서, 상기 유리 기판은 플로린 도핑된 틴옥사이드 글래스 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.