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선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131756
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법은 기판 상에 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층을 순차적으로 형성하는 구조형성단계; 상기 P형 클래드층의 상면이 요철 구조가 되도록 패터닝하는 패터닝단계; 및 상기 패터닝된 P형 클래드층 상면에 금속나노입자층을 형성하는 금속층형성단계를 포함하며, 상기 금속층형성단계는 상기 패터닝된 P형 클래드층의 요철 구조 중 오목부에만 선택적으로 금속나노입자층을 형성하는 것을 특징으로 한다. 상기 본 발명에 따라 제조되는 발광소자는 P형 클래드층의 요철 구조 중 상기 활성층에 인접한 오목부 영역에만 금속나노입자층을 선택적으로 형성시킴으로써, 표면 플라즈몬과 빛의 공명 내지 결합 효과를 더욱 개선된 형태로 발생시킬 수 있음은 물론, 이와 함께 빛이 금속층에 구속되어 방출되지 못하는 문제점을 동시에 해소할 수 있어, 더욱 높은 효율의 발광소자를 실현할 수 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090023328 (2009.03.19)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1011108-0000 (2011.01.19)
공개번호/일자 10-2010-0104718 (2010.09.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.19)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구
2 윤주헌 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0165008-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0077184-55
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0022942-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층을 순차적으로 형성하는 구조형성단계; 상기 P형 클래드층의 상면이 요철 구조가 되도록 패터닝하는 패터닝단계; 및 상기 패터닝된 P형 클래드층 상면에 금속나노입자층을 형성하는 금속층형성단계를 포함하며, 상기 금속층형성단계는 상기 패터닝된 P형 클래드층의 요철 구조 중 오목부에만 선택적으로 금속나노입자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속나노입자층은, 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속나노입자층은, 도트(DOT)형태인 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 금속층형성단계는, 박막 형태의 금속층을 형성한 후, 열처리를 가하여 도트형태의 금속나노입자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 금속층형성단계는, 금속나노입자가 포함된 용액을 스핀(SPIN)코팅으로 도포한 후, 상기 패터닝단계에서 이용된 마스크를 제거하여 상기 오목부에만 선택적으로 금속나노입자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 패터닝된 P형 클래드층 중 오목부의 두께는, 상기 활성층으로부터 5 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
7 7
제 2항에 있어서, 상기 금속나노입자의 크기는, 5 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층은, 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 구조형성단계는, 상기 기판 상에 버퍼층과 무도핑 질화갈륨층을 순차적으로 형성한 후, 상기 무도핑 질화갈륨층 상에 상기 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 N형 클래드층 일부가 외부로 노출되도록 상기 N형 클래드층 상부에 위치하는 P형 클래드층 일부를 식각하는 식각단계; 상기 P형 클래드층 상에 투명 전도성 산화막층을 형성하는 산화막층단계; 및 상기 외부로 노출된 N형 클래드층 및 상기 투명 전도성 산화막층에 전극을 형성하는 전극형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자 제조방법
11 11
N형 클래드층; 상기 N형 클래드층 상부에 형성된 활성층; 상기 활성층 상부에 형성되며, 상면이 요철 구조가 되도록 패터닝된 P형 클래드층; 및 상기 패터닝된 P형 클래드층의 요철 구조 중 오목부에만 선택적으로 형성된 금속나노입자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
12 12
제 11항에 있어서, 상기 금속나노입자층은, 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
13 13
제 11항에 있어서, 상기 금속나노입자층은, 도트(DOT)형태인 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
14 14
제 11항에 있어서, 상기 패터닝된 P형 클래드층 중 오목부의 두께는, 상기 활성층으로부터 5 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
15 15
제 12항에 있어서, 상기 금속나노입자의 크기는, 5 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
16 16
제 11항에 있어서, 상기 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층은, 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
17 17
제 11항에 있어서, 상기 N형 클래드층의 외부로 노출된 부분에 형성된 N형전극; 상기 P형 클래드층 상에 형성된 투명 전도성 산화막층; 및 상기 투명 전도성 산화막층 상부에 형성된 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
18 18
제 11항에 있어서, 상기 P형 클래드층 상에 형성된 투명 전도성 산화막층; 상기 투명 전도성 산화막층에 형성된 전극; 및 상기 N형 클래드층에 형성된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 표면 플라즈몬 결합을 이용한 발광소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 (재)서울특별시 시정개발연구원 고려대학교 산학협력단 신기술연구개발지원사업 나노패터닝 기술을 이용한 LED용 고효율 투명전극 개발