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레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015131837
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 제조에 이용되는 레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 태양전지 제조 시 후면 패시베이션층에 공극을 형성하기 위한 레이저 식각장치에 있어서, 상기 후면 패시베이션층이 형성된 태양전지의 실리콘 기판을 거치하는 스테이지부와, 실리콘 기판의 특성에 따라 조정된 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부와, 공극의 크기와 모양에 따라 레이저 빔의 스폿의 크기와 모양을 변형하는 빔 형성부와, 하나 이상의 공극이 배열된 공극 패턴에 따라 레이저 빔이 공극의 위치에 조사되도록 스캔하는 스캔부와, 스캔부에 의해 스캔된 레이저 빔을 집광하여 조사하는 투영부를 포함하는 레이저 식각장치에 의하면, 고효율의 박형화된 태양전지를 제조하는 과정에서 사진 식각 기술 대신에 레이저 식각 기술을 이용하여 보다 단순화된 공정을 통해서 후면 패시베이션층에 공극 패턴을 형성할 수 있다. 태양전지, 레이저, 식각, 패시베이션
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) B23K 26/364 (2014.01.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020090046606 (2009.05.27)
출원인 (주)미래컴퍼니, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1065769-0000 (2011.09.09)
공개번호/일자 10-2010-0128139 (2010.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)미래컴퍼니 대한민국 경기도 화성시
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송청호 대한민국 경기도 화성시
2 백광수 대한민국 인천광역시 남동구
3 김병겸 대한민국 경기도 오산시
4 김동환 대한민국 서울특별시 용산구
5 이준성 대한민국 경기도 군포시
6 박하영 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안태현 대한민국 경기도 성남시 중원구 갈마치로 *** A-****(에이앤에이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)미래컴퍼니 대한민국 경기도 화성시
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0320380-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-5131001-85
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2010-5104972-73
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0002528-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0154392-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0167900-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.05.12 수리 (Accepted) 4-1-2011-5094133-48
10 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0461251-07
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5171305-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5224897-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지 제조 시 후면 패시베이션층에 공극을 형성하기 위한 레이저 식각장치에 있어서, 상기 후면 패시베이션층이 형성된 태양전지의 실리콘 기판을 거치하는 스테이지부와; 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부와; 상기 레이저 빔을 수광하여 반사시키고 제1 축을 중심으로 회전하는 제1 갈바노 미러와, 상기 제1 갈바노 미러로부터 반사된 상기 레이저 빔을 수광하여 반사시키고 상기 제1 축과는 다른 제2 축을 중심으로 회전하는 제2 갈바노 미러를 포함하며, 하나 이상의 상기 공극이 배열되도록 하는 공극 패턴에 따라 결정된 위치로 상기 레이저 빔이 조사되도록 스캔하는 스캔부와; 상기 스캔부에 의해 스캔된 레이저 빔을 집광하여 조사하는 투영부를 포함하되, 상기 스캔부는 상기 공극 패턴에 상응하여 상기 제1 갈바노 미러와 상기 제2 갈바노 미러를 독립적으로 구동시켜, 상기 제1 축과 상기 제2 축이 이루는 각도, 상기 제1 갈바노 미러의 회전 정도, 상기 제2 갈바노 미러의 회전 정도 중 적어도 하나 이상을 조절하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치
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3 3
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태양전지 제조 시 후면 패시베이션층에 공극을 형성하기 위한 레이저 식각장치에 있어서, 상기 후면 패시베이션층이 형성된 태양전지의 실리콘 기판을 거치하는 스테이지부와; 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부와; 상기 레이저 빔을 수광하여 반사시키고 제1 회전축을 중심으로 회전하는 갈바노 미러와, 상기 갈바노 미러로부터 반사된 상기 레이저 빔을 수광하여 반사시키고 상기 제1 회전축과는 다른 제2 회전축을 중심으로 회전하는 폴리곤 미러를 포함하며, 하나 이상의 상기 공극이 배열되도록 하는 공극 패턴에 따라 결정된 위치로 상기 레이저 빔이 조사되도록 스캔하는 스캔부와; 상기 스캔부에 의해 스캔된 레이저 빔을 집광하여 조사하는 투영부를 포함하되, 상기 스캔부는 상기 공극 패턴에 상응하여 상기 갈바노 미러와 상기 폴리곤 미러를 독립적으로 구동시켜, 상기 제1 회전축과 상기 제2 회전축이 이루는 각도, 상기 갈바노 미러의 회전 정도, 상기 폴리곤 미러의 회전 정도 중 적어도 하나 이상을 조절하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치
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삭제
6 6
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 발진부에서 발진되는 레이저의 가공 파워는 0
7 7
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 발진부에서 발진되는 레이저의 가공 파워는 0
8 8
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 발진부에서 발진되는 레이저의 가공 파워는 0
9 9
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 발진부에서 발진되는 레이저의 가공 파워는 0
10 10
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 발진부에서 발진되는 레이저의 가공 파워는 1와트이고, 상기 레이저 빔의 파장은 532nm이며, 펄스 폭은 20khz에서 15ns이고, 반복률은 100khz인 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치
11 11
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 발진부에서 발진되는 레이저의 가공 파워는 3와트이고, 상기 레이저 빔의 파장은 1064nm이며, 펄스 폭은 20khz에서 30ns이고, 반복률은 300khz인 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치
12 12
제1항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이저 발진부에서 발진되는 레이저의 가공 파워는 10와트이고, 상기 레이저 빔의 파장은 2940nm이며, 펄스 폭은 20khz에서 100ns이고, 반복률은 100khz인 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교 산학협력단 신재생에너지기술개발사업 비접촉식 공정을 이용한 초박형 고효율 실리콘 태양전지 기술개발