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유기 반도체 물질을 유기 반도체 구조체로 성장시키는 단계; 및
상기 유기 반도체 구조체를 분산매 내에서 고온고압처리하는 단계
를 포함하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 고온고압처리된 유기 반도체 구조체를 열처리하는 단계
를 더 포함하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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3
제1항에 있어서,
상기 유기 반도체 물질은 프탈로시아닌, 금속 프탈로시아닌, 펜타센, 테트라센, 퍼릴렌, 안트라센 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 성장은 자가조립(self-assembly)법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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5
제1항에 있어서,
상기 성장 단계는,
상기 유기 반도체 물질을 유기 용매에 혼합하여 혼합액을 준비하는 단계; 및
상기 혼합액에 산 용액을 첨가하는 단계
를 포함하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제5항에 있어서,
상기 산은 하이드록실기를 함유하는 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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7
제6항에 있어서,
상기 산은 아세트산, 트리플루오로아세트산, 아세토아세트산, 포름산 및 메탄설폰산으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 성장된 유기 반도체 구조체의 직경은 100 내지 1000 nm이고, 길이는 1 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 고온고압처리하는 단계는,
상기 분산매에 분산된 상기 유기 반도체 구조체를 수열합성기에 수열합성(hydrothermal reaction)하기 위하여 투입하는 단계; 및
상기 수열합성기를 진공가열장치에 장입하는 단계
를 포함하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서,
상기 고온고압처리시, 상기 진공가열장치 내부의 온도는 100 내지 300℃이고, 압력은 10-5 내지 10-1 torr인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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제2항에 있어서,
상기 열처리시, 온도는 100 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체의 제조 방법
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유기 반도체 물질로부터 성장된 유기 반도체 구조체를 고온고압처리함으로써 제조되며, 사각 튜브 형상인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체
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제12항에 있어서,
상기 고온고압처리는 상기 유기 반도체 구조체를 수열합성기 내에 배치하고, 상기 수열합성기를 진공가열장치에서 가열시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 반도체 구조체
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제12항에 있어서,
상기 결정성 유기 반도체 구조체는 (-101) 성장 방향에서 결정성을 갖는 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체
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제12항에 있어서,
상기 결정성 유기 반도체 구조체의 측면폭은 300 nm 내지 3 ㎛이고, 길이는 5 내지 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체
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제12항에 있어서,
상기 결정성 유기 반도체 구조체는 나노튜브인 것을 특징으로 하는 결정성 유기 반도체 구조체
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