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n형 전계효과 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131867
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 n형 전계효과 트랜지스터는 특정한 화합물로 사용하여 유기막을 증착시키므로 통상의 화합물을 사용한 경우에 비하여 유기박막의 결정도 및 전계이동도가 우수하다. 나아가, 본 발명의 특정한 화합물을 사용하여 유기막을 증착한 후 특정한 온도에서 열처리를 수행하는 경우 전계이동도를 비약적으로 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
CPC H01L 51/0008(2013.01) H01L 51/0008(2013.01)
출원번호/일자 1020090045580 (2009.05.25)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1081816-0000 (2011.11.03)
공개번호/일자 10-2010-0127070 (2010.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20111109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.25)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울특별시 성북구
2 장영 중국 서울시 성북구
3 서훈석 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0313214-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0213273-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0072344-03
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0581380-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0047640-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0047639-61
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0435096-61
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.08.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0031826-79
12 등록결정서
Decision to grant
2011.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0603710-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) n형 실리콘 기판의 하부에 게이트 전극을 형성하는 단계; 2) 상기 실리콘 기판의 상부에 유전체층을 형성하는 단계 3) 노즐을 구비한 도가니를 포함하는 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 상기 기판을 삽입하는 단계; 4) N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드(N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide) 화합물을 상기 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하는 단계; 5) 상기 증기화된 화합물이 상기 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계; 6) 상기 유전체층의 상부에 상기 클러스터를 증착시켜 유기막을 형성하는 단계; 및 7) 상기 유기막의 상부에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되; 상기 6) 단계와 7)단계 사이에 상기 증착된 기판을 95 ~ 105℃ 에서 30분 내지 2시간 동안 열처리하는 단계를 수행하고, 2) 단계와 3) 단계 사이에 상기 유전체층이 형성된 실리콘 기판에 대하여 계면활성제 처리를 하지 않는 것을 특징으로 하는 n형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 도가니의 재질은 흑연인 것을 특징으로 하는 n형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 도가니의 온도는 277 ~ 307℃인 것을 특징으로 하는 n형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 유기막의 증착두께는 400 ~ 500Å 인 것을 특징으로 하는 n형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 유기막의 증착속도는 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 기판은 전체 공정에서 0V를 유지하는 것을 특징으로 하는 n형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 노즐의 직경은 0
9 9
제1항에 있어서, 상기 4) 단계에서 전압인가방식은 6 ~ 13
10 10
제1항에 있어서, 상기 7) 단계에서 생성된 소스전극과 드레인 전극의 채널너비는 500 ~ 2000 ㎛, 채널길이는 100 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 n형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한국과학재단 국가지정연구실사업(NRL) 과도화학종 검출 및 반응성 분석 연구