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유기발광 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132743
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공기중에서도 전계이동도가 우수할 뿐 아니라 정공과 전자의 이동도 균형이 뛰어나고 소자의 안정성이 현저하게 개선된 유기발광 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것이다.
Int. CL H01L 51/40 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
CPC H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01)
출원번호/일자 1020110015109 (2011.02.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1240245-0000 (2013.02.28)
공개번호/일자 10-2012-0095658 (2012.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20130311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최종호 대한민국 서울특별시 성북구
2 장영 중국 연대과학기술
3 서훈석 대한민국 서울특별시 성북구
4 안민준 대한민국 경상남도 창원시 진해구
5 오정도 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0122874-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010822-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0347054-02
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0648087-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0648086-32
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0765125-38
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.01.07 수리 (Accepted) 7-1-2013-0000622-15
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0086526-38
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0086511-54
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0095549-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
1) 기판의 하부에 알루미늄 게이트 전극을 형성하는 단계;2) 상기 알루미늄 게이트 전극이 형성된 기판의 상부에 5000 ~ 6000Å 두께의 PMMA 유전층을 형성하는 단계;3) 제1 노즐을 구비한 제1 도가니 및 제2 노즐을 구비한 제2 도가니를 포함하는 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 상기 기판을 삽입하는 단계;4) N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드(N,N'-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide) 화합물을 상기 제1 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 상기 제1 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 기판의 상부에 300Å 두께의 전자 수송층을 증착하는 단계;5) α,ω-디헥실세시티오펜(α,ω-dihexylsexithiophene) 화합물을 상기 제2 도가니 내부에 넣고 전압 인가 방식에 의하여 가열함으로써 증기화하고, 상기 증기화된 화합물을 제 2 노즐을 통하여 상기 클러스터 빔 증착 챔버 내부에 공급함으로써 상기 전자 수송층의 상부에 150Å 두께의 홀 수송층을 증착하는 단계; 및6) 상기 홀 수송층의 상부에 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 n형 실리콘기판; 또는 폴리에테르술폰(PES,polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET,polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC) 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유기전계효과 트랜지스터와 유기발광 트랜지스터의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 도가니의 온도는 257 ~ 297℃이고, 제2 도가니의 온도는 207 ~ 247℃인 것을 특징으로 하는 유기전계효과 트랜지스터와 유기발광 트랜지스터의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 전자 수송층의 증착속도는 0
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 4) 단계 및 5) 단계에서의 전압 인가 방식에 의한 가열 시에 인가되는 전압은 각각 6 ~ 13
10 10
제1항에 있어서,상기 6) 단계에서 생성된 소스전극과 드레인 전극의 채널너비는 170 ~ 190 mm, 채널길이는 100 ~ 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조방법
11 11
기판의 하부에 형성된 알루미늄 게이트 전극; 상기 기판의 상부에 형성된 유기막; 및 상기 유기막의 상부에 형성된 소스전극 및 드레인 전극을 포함하는 유기발광 트랜지스터에 있어서,상기 유기막은 하부로부터 순차적으로 적층된 5000 ~ 6000Å 두께의 PMMA 유전층, 300Å 두께의 전자 수송층 및 150Å 두께의 홀 수송층을 포함하며, 상기 전자 수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭 디이미드 화합물을 포함하며, 상기 홀 수송층은 α,ω-디헥실세시티오펜 화합물을 포함하는 유기발광 트랜지스터
12 12
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 고려대학교 산학협력단 중견연구자지원_핵심연구 기체상 유기 과도화학종의 반응과 활용에 관한 연구