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열적안정성을 고려한 고밀도 자기 메모리 셀 설계 방법

  • 기술번호 : KST2015131872
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 합성 반강자성체로 이루어지는 나노구조 셀의 안상점에서 나타나는 열적안정성을 고려한 고밀도 자기 메모리 셀 설계 방법에 관한 것으로, 3층막구조의 합성 반강자성체의 열적 안정성 계수를 계산하는데 사용되는 해석적 및 수치적 통합 방법에 있어서, 마이크로자기 컴퓨터 시뮬레이션을 이용하여 평형 자기 상태의 유효 정자기장(Effective Magnetostatic Fields)을 구하고, 그 결과들을 자기 에너지 배리어를 나타내는 총 에너지에 관한 해석적 수학식에 대입함으로써, 열적 안정성 계수를 계산하는 발명에 관한 것이다. 아울러, 본 발명은 3층막구조의 합성 반강자성체를 자유층으로 사용하는 자기랜덤액세스메모리(MRAM: magnetic random access memory)의 열적 안정성 계수를 신속하게 계산함으로써 열적으로 안정된 자기 셀을 설계하는데 유용하게 사용될 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01) G11C 11/16(2013.01)
출원번호/일자 1020090079427 (2009.08.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1094557-0000 (2011.12.08)
공개번호/일자 10-2011-0021559 (2011.03.04) 문서열기
공고번호/일자 (20111220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 경기도 남양주시
2 한창완 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0524614-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0007645-62
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0087418-51
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0287414-68
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0355799-48
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0355798-03
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0707083-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단층 반강자성체 또는 제 1 자성층, 중간 비자성층 및 제 2 자성층을 포함하는 3층막구조의 합성 반강자성체의 열적 안정성 계수를 측정하여 고밀도 자기메모리 셀을 설계하는 방법에 있어서, 하기 [수학식 1] 및 [수학식 2]에 의해서 계산되는, y축 방향으로의 유효자기 소거 자기장(Hdem-y) 및 y축 방향으로의 유효 다이폴 자기장(Hdip-y)과, [수학식 3] 및 [수학식 4]에 의해 계산되는 자기 에너지 배리어(EM)를 이용하여, 자기 에너지 배리어(EM)와 열 에너지(kT)의 비율로 정의되는 열적 안정성 계수를 측정하는 것을 특징으로 하는 고밀도 자기메모리 셀 설계 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단층 반강자성체에 대해서는 상기 [수학식 1] 및 [수학식 3]을 적용하고, 상기 3층막구조의 합성 반강자성체에 대해서는 [수학식 2] 및 [수학식 4]를 적용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 자기메모리 셀 설계 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 3층막구조의 합성 반강자성체의 평면 형태는 가로 대 세로의 비율이 1
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 3층막구조의 합성 반강자성체의 평면 형태는 장축 대 단축의 비가 1
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 열적 안정성 계수 측정은 상기 3층막구조의 합성 반강자성체의 총 두께 및 상기 중간 비자성층의 두께를 고정시킨 상태에서, 상기 제 1 자성층 및 상기 제 2 자성층 중 적어도 하나의 두께를 변화시키면서 측정하는 것을 특징으로 하는 고밀도 자기메모리 셀 설계 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 열적 안정성 계수 측정은 상기 제 1 자성층의 두께(t1)가 상기 제 2 자성층의 두께(t2) 보다 크거나 같도록(t1 ≥ t2) 상기 제 1 자성층 및 상기 제 2 자성층의 두께를 변화시키는 것을 특징으로 하는 고밀도 자기메모리 셀 설계 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 HA 는 마이크로매거스(MicroMagus)를 이용한 마이크로 마그네틱 시뮬레이션을 사용하여 단축 방향 M-H 루프(loop)를 측정하여 계산하는 것을 특징으로 하는 고밀도 자기메모리 셀 설계 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 Hdem-y는 이상적인 단자구 상태의 합성 반강자성체가 안상점 배열 상태일 때의 측정값 및 표준화된(normalized) 자기소거자기장(rdem)을 곱한 값에 의해 정의되는 것을 특징으로 하는 고밀도 자기메모리 셀 설계 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 열적 안정성 계수 측정 결과를 이용하여 자기메모리 셀 구조를 나타내는 에너지 배리어(EM)를 계산하는 것을 특징으로 하는 고밀도 자기메모리 셀 설계 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 고려대학교 산학협력단 국가지정연구실사업(NRL) 새로운 해석적/수치적 방법에 의한 나노 자성체의 열적안정성 예측 및 이를 통한 초고밀도 자기메모리 설계기술 개발(3)