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레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법
- 기술번호 : KST2015131912
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 태양전지 제조에 이용되는 레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따른 태양전지 제조 시 후면 패시베이션층에 공극을 형성하기 위한 레이저 식각장치에 있어서, 후면 패시베이션층이 형성된 태양전지의 실리콘 기판을 거치하는 스테이지부와, 패시베이션층 정보에 따라 조정된 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부와, 공극의 크기와 모양에 따라 레이저 빔의 스폿의 크기와 모양을 변형하는 빔 형성부와 하나 이상의 공극이 배열된 공극 패턴에 따라 레이저 빔이 공극의 위치에 조사되도록 스캔하는 스캔부와, 스캔부에 의해 스캔된 레이저 빔을 집광하여 조사하는 투영부를 포함하는 레이저 식각장치에 의하면, 고효율의 박형화된 태양전지를 제조하는 과정에서 사진 식각 기술 대신에 레이저 식각 기술을 이용하여 보다 단순화된 공정을 통해서 후면 패시베이션층에 공극 패턴을 형성할 수 있다. 태양전지, 레이저, 식각, 패시베이션 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2006.01.01) B23K 26/364 (2014.01.01) |
| CPC | H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090046622 (2009.05.27) |
| 출원인 | (주)미래컴퍼니, 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0128151 (2010.12.07) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.05.27) |
| 심사청구항수 | 3 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | (주)미래컴퍼니 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 2 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송청호 | 대한민국 | 경기도 화성시 |
| 2 | 백광수 | 대한민국 | 인천광역시 남동구 |
| 3 | 김병겸 | 대한민국 | 경기도 오산시 |
| 4 | 김동환 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 |
| 5 | 이준성 | 대한민국 | 경기도 군포시 |
| 6 | 박하영 | 대한민국 | 서울특별시 동대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안태현 | 대한민국 | 경기도 성남시 중원구 갈마치로 *** A-****(에이앤에이특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.05.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0320485-50 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.07.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5131001-85 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.06.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5104972-73 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 6 | 협의요구서 Request for Consultation |
2011.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0061049-19 |
| 7 | 협의요구서 Request for Consultation |
2011.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0061051-01 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0061048-63 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0235317-85 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0235327-31 |
| 11 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.04.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0030282-61 |
| 12 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.04.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0031358-11 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.04.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0311883-66 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0311881-75 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2011.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0269242-90 |
| 16 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2011.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0256424-09 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.05.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5094133-48 |
| 18 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2011.06.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0327044-42 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.08.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5171305-79 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.10.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5224897-73 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 태양전지 제조 시 후면 패시베이션층에 공극을 형성하기 위한 레이저 식각장치에 있어서, 상기 후면 패시베이션층이 형성된 태양전지의 실리콘 기판을 거치하는 스테이지부와; 패시베이션층 정보에 따라 조정된 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진부와; 공극의 크기와 모양에 따라 상기 레이저 빔의 스폿의 크기와 모양을 변형하는 빔 형성부와; 하나 이상의 상기 공극이 배열된 공극 패턴에 따라 상기 레이저 빔이 상기 공극의 위치에 조사되도록 스캔하는 스캔부와; 상기 스캔부에 의해 스캔된 레이저 빔을 집광하여 조사하는 투영부를 포함하는 레이저 식각장치 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 패시베이션층 정보는 상기 실리콘 기판의 후면 패시베이션층을 구성하는 재질, 상기 후면 패시베이션층의 두께, 상기 후면 패시베이션층의 적층 구조 중 적어도 하나 이상에 관한 특성을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치 |
| 3 |
3 제2항에 있어서, 상기 후면 패시베이션층의 재질은 열적(Thermal) SiO2, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) SiNx, ALD(Atomic Layer Deposition) Al2O3, SiC, TCO, a-Si:H 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치 |
| 4 |
4 제2항에 있어서, 상기 후면 패시베이션층의 적층 구조는 단층 구조 혹은 둘 이상의 재질로 구성된 이중충 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 식각장치 |
| 5 |
5 태양전지 제조 시 레이저 식각장치를 이용하여 공극을 형성하는 방법에 있어서, 후면에 패시베이션층이 형성된 실리콘 기판을 준비하는 단계와; 상기 패시베이션층에 대한 패시베이션층 정보를 분석하는 단계와; 상기 분석된 상기 패시베이션층 정보에 따라 상기 레이저 식각장치의 레이저 가공조건을 조정하는 단계와; 상기 레이저 식각장치를 이용하여 상기 패시베이션층에 공극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 공극 형성 방법 |
| 6 |
6 제5항에 있어서, 상기 패시베이션층 정보는 상기 실리콘 기판의 후면 패시베이션층을 구성하는 재질, 상기 후면 패시베이션층의 두께, 상기 후면 패시베이션층의 적층 구조 중 적어도 하나 이상에 관한 특성을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 공극 형성 방법 |
| 7 |
7 제6항에 있어서, 상기 후면 패시베이션층의 재질은 열적(Thermal) SiO2, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) SiNx, ALD(Atomic Layer Deposition) Al2O3, SiC, TCO, a-Si:H 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 공극 형성 방법 |
| 8 |
8 제6항에 있어서, 상기 후면 패시베이션층의 적층 구조는 단층 구조 혹은 둘 이상의 재질로 구성된 이중충 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 공극 형성 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 고려대학교 산학협력단 | 신재생에너지기술개발사업 | 비접촉식 공정을 이용한 초박형 고효율 실리콘 태양전지 기술개발 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.05.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0320485-50 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.07.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5131001-85 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.06.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5104972-73 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 6 | 협의요구서 | 2011.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0061049-19 |
| 7 | 협의요구서 | 2011.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0061051-01 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2011.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0061048-63 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0235317-85 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0235327-31 |
| 11 | 보정요구서 | 2011.04.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0030282-61 |
| 12 | 보정요구서 | 2011.04.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0031358-11 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.04.27 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0311883-66 |
| 14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0311881-75 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2011.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0269242-90 |
| 16 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2011.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0256424-09 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.05.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5094133-48 |
| 18 | 거절결정서 | 2011.06.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0327044-42 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.08.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5171305-79 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.10.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5224897-73 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345096817 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2001 |
| 연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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