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실리콘 이종접합 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131929
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 이종접합 태양전지에 있어서, 비정질 실리콘막과 투명 전도성 산화막 사이에 확산방지층을 도입하여, 태양전지의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 실리콘 이종접합 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 이종접합 태양전지 제조 방법은 제1타입 반도체 물질이 포함된 제1타입 결정질 실리콘 기판의 전면에 상기 제1타입 반도체 물질과 P-N 접합구조를 형성하는 제2타입 반도체 물질이 포함된 제2타입 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 제2타입 비정질 실리콘막의 전면에, TiO2를 도포한 후 200~300℃의 온도에서 급속 열처리(Rapid Thermal Anneal)하여 제1 확산 방지막을 형성하는 단계; 상기 제1 확산 방지막의 전면에 제1 투명 전도성 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 제2타입 비정질 실리콘막에 전기적으로 연결되는 전면 전극과 상기 제1타입 결정질 실리콘 기판에 전기적으로 연결되는 배면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/072 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01)
출원번호/일자 1020090104606 (2009.10.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1076545-0000 (2011.10.18)
공개번호/일자 10-2011-0047827 (2011.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20111024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.30)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 용산구
2 탁성주 대한민국 서울특별시 노원구
3 강민구 대한민국 서울특별시 금천구
4 이승훈 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0670267-78
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0087101-82
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0707033-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0158126-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0344978-67
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0344977-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0350419-53
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0570331-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1타입 반도체 물질이 포함된 제1타입 결정질 실리콘 기판의 전면에 제1 진성 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 제1타입 결정질 실리콘 기판의 전면에 상기 제1타입 반도체 물질과 P-N 접합구조를 형성하는 제2타입 반도체 물질이 포함된 제2타입 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 제2타입 비정질 실리콘막의 전면에, TiO2를 도포한 후 200~300℃의 온도에서 급속 열처리(Rapid Thermal Anneal)하여 제1 확산 방지막을 형성하는 단계; 상기 제1 확산 방지막의 전면에 제1 투명 전도성 산화막을 형성하는 단계; 상기 제2타입 비정질 실리콘막에 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1타입 결정질 실리콘 기판의 배면에, 제2 진성 비정질 실리콘막을 형성하고, 상기 제1타입 결정질 실리콘 기판에 전기적으로 연결되는 배면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 확산 방지막을 형성하기 전에 상기 제2타입 비정질 실리콘막의 표면을 수소 처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 투명 전도성 산화막을 형성할 때, 수소 가스를 투명 전도성 산화막을 형성하는 원료물질과 함께 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1타입 결정질 실리콘 기판의 배면에, 상기 제2 진성 비정질 실리콘막을 형성하고, 제1타입 비정질 실리콘막, 제2 확산 방지막 및 제2 투명 전도성 산화막을 순차적으로 더 형성한 후, 상기 배면전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2 확산 방지막을 형성하기 전에 상기 제1타입 비정질 실리콘막의 표면을 수소 처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 제2 투명 전도성 산화막을 형성할 때, 수소 가스를 투명 전도성 산화막을 형성하는 원료물질과 함께 공급하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지 제조 방법
8 8
제1타입 반도체 물질이 포함된 제1타입 결정질 실리콘 기판의 전면에 형성되며, 상기 제1타입 반도체 물질과 P-N 접합 구조를 형성하는 제2타입 반도체 물질이 포함된 제2타입 비정질 실리콘막; 상기 제2타입 비정질 실리콘막의 전면에 형성되는 제1 투명 전도성 산화막; 상기 제1 투명 전도성 산화막의 전면에 형성되는 전면 전극; 및 상기 제1타입 결정질 실리콘 기판의 배면에 형성되는 배면 전극;을 포함하고, 상기 제2타입 비정질 실리콘막과 상기 제1 투명 전도성 산화막 사이에는 TiO2 재질의 제1 확산 방지막이 형성되고, 상기 제1타입 결정질 실리콘과 상기 제2타입 비정질 실리콘막 사이에, 제1 진성 비정질 실리콘막이 더 형성되고, 상기 제1타입 결정질 실리콘의 배면에 형성되는 제2 진성 비정질 실리콘막이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지
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삭제
10 10
제8항에 있어서, 상기 제2 진성 비정질 실리콘막의 배면에 형성되는 제1타입 비정질 실리콘막; 및 상기 제1타입 비정질 실리콘막의 배면에 형성되는 TiO2 재질의 제2 확산 방지막; 상기 제2 확산 방지막의 배면에 형성되는 제2 투명 전도성 산화막;을 더 포함하고, 상기 배면전극은 상기 제2투명 전도성 산화막에 접촉 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지
11 11
제8항에 있어서, 상기 제1 투명 전도성 산화막은 ITO(Indium Tin Oxide), IO(Indium Oxide; IO), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Aluminum Tin Oxide), AIO(Aluminum Indium Oxide), ZO(Zinc Oxide) 및 FTO(F-doped Tin Oxide) 중에서 선택되는 하나 이상의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교 산학협력단 지식경제 기술혁신사업 고효율 실리콘 태양전지 원천기술 연구센터