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실리콘 이종접합 태양전지 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015131972
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 이종접합 태양전지 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 비정질/결정질 실리콘 간의 계면 결함을 줄일 수 있으며, P-N 다이오드 특성향상을 통해 태양전지의 충진율의 증가 및 향상된 효율을 보여줄 수 있는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공하되, 제1 타입 결정질 실리콘 기판 상에 제2 타입 비정질 실리콘층이 형성되어 있고, 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 상에는 투명 전도막과 상부전극이 형성되어 있으며, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하면에는 하부전극이 형성되어 있는 구조를 가지고 있는 실리콘 이종접합 태양전지에 있어서, 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판과 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 사이의 계면 또는 상기 제2 타입 비정질 실리콘층과 상기 투명 전도막 사이의 계면에 패시베이션층을 형성하되, 상기 패시베이션층은 초순수 또는 HNO3 용액을 이용한 산화공정으로 형성하는 기술을 제공하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/072 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01) H01L 31/0747(2013.01)
출원번호/일자 1020090104607 (2009.10.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1115195-0000 (2012.02.01)
공개번호/일자 10-2011-0047828 (2011.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울특별시 용산구
2 탁성주 대한민국 서울특별시 노원구
3 강민구 대한민국 서울특별시 금천구
4 박효민 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0670268-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0689024-24
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0084803-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0025917-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0277706-52
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0570290-54
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0570291-00
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0040473-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 이종접합 태양전지의 제조 방법에 있어서, (a) 제1 타입 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 상에 산화공정을 이용하여 패시베이션층을 형성한 후, 상기 패시베이션층의 상부면과 하부면을 관통하는 공극(through hole)을 형성하는 단계; (c) 상기 패시베이션층 상에 제2 타입 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; (d) 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 상에는 투명 전도막 및 상부전극을 형성하는 단계; 및(e) 상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하면에 하부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계 후, 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 상에 산화공정을 이용하여 패시베이션층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 패시베이션층은 SiO2로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 패시베이션층은 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화공정은 70 ~ 90℃의 초순수에 50 ~ 70분 동안 상기 실리콘 기판을 침지시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화공정은 25 ~ 30℃ 온도에서 60 ~ 80%(v/v)의 HNO3 용액에 10 ~ 20분 동안 상기 실리콘 기판을 침지시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지의 제조 방법
7 7
제1 타입 결정질 실리콘 기판;상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 상에 형성되는 패시베이션층; 상기 패시베이션층 상에 형성되는 제2 타입 비정질 실리콘층; 상기 제2 타입 비정질 실리콘층 상에 형성되는 투명 전도막 및 상부전극; 및상기 제1 타입 결정질 실리콘 기판 하면에 형성되는 하부전극;을 포함하고,상기 패시베이션층에는, 상기 패시베이션층의 상부면과 하부면을 관통하는 공극(through hole)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 이종접합 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 고려대학교 산학협력단 지식경제 기술혁신사업 고효율 실리콘 태양전지 원천기술 연구센터