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전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직

  • 기술번호 : KST2015132040
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직에 관한 것으로서 듀얼 레일 로직의 풀업 네트워크와 풀다운 네트워크를 연결하는 제 1 연결부에 제 1 드레인 단자가 연결된 제 1 MOS 트랜지스터; 듀얼 레일 로직의 풀업 네트워크와 풀다운 네트워크를 연결하는 제 2 연결부에 제 2 드레인 단자가 연결된 제 2 MOS 트랜지스터를 포함하고, 제 1 MOS 트랜지스터의 제 1 소스 단자와 제 2 MOS 트랜지스터의 제 2 소스 단자는 서로 연결되고, 제 1 MOS 트랜지스터의 제 1 게이트 단자와 제 2 MOS 트랜지스터의 제 2 게이트 단자는 서로 연결되며, 연결된 게이트 단자로 스위칭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하며, 듀얼 레일 로직의 출력단에서의 전력의 불균형성을 제거한다.
Int. CL H03K 19/086 (2006.01) H03K 19/173 (2006.01)
CPC H03K 19/00315(2013.01) H03K 19/00315(2013.01) H03K 19/00315(2013.01)
출원번호/일자 1020090119861 (2009.12.04)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1135056-0000 (2012.04.03)
공개번호/일자 10-2011-0062961 (2011.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20120413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍석희 대한민국 서울특별시 도봉구
2 김희석 대한민국 서울특별시 강서구
3 김현민 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0750836-02
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0213285-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0026300-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0187543-73
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0426229-90
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0517466-16
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0610998-98
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0695425-74
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2011.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0082252-54
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0785410-23
13 등록결정서
Decision to grant
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0187012-86
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
듀얼 레일 로직을 구성하는 풀업 네트워크와 풀다운 네트워크를 연결하는 제 1 연결부에 제 1 드레인 단자가 연결된 제 1 MOS 트랜지스터;상기 풀업 네트워크와 상기 풀다운 네트워크를 연결하는 제 2 연결부에 제 2 드레인 단자가 연결된 제 2 MOS 트랜지스터를 포함하고,상기 제 1 MOS 트랜지스터의 제 1 소스 단자와 상기 제 2 MOS 트랜지스터의 제 2 소스 단자는 서로 연결되고, 상기 제 1 MOS 트랜지스터의 제 1 게이트 단자와 제 2 MOS 트랜지스터의 제 2 게이트 단자는 서로 연결되며, 상기 연결된 게이트 단자로 스위칭 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직
2 2
제 1 항에 있어서,상기 연결된 게이트 단자로 입력되는 스위칭 신호가 ON인 경우, 상기 듀얼 레일 로직의 제 1 출력단에 연결된 제 1 커패시턴스 로드와 상기 듀얼 레일 로직의 제 2 출력단에 연결된 제 2 커패시턴스 로드에 충전된 전력이 방출되는 것을 특징으로 하는 전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직
3 3
제 1 항에 있어서,상기 연결된 게이트 단자로 입력된 스위칭 신호가 ON인 시간은 상기 스위칭 신호 주기의 반 주기를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 MOS 트랜지스터와 상기 제 2 MOS 트랜지스터는 nMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직
5 5
제 1 항에 있어서,상기 듀얼 레일 로직은 SABL(Sense Amplifier Based Logic)인 것을 특징으로 하는 전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직
6 6
제 5 항에 있어서,상기 SABL은 인버터, AND-NAND 게이트, XOR-NXOR 게이트 또는 OR-NOR 게이트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전력 분석 공격을 대비한 스위칭 로직
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.