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(a)제1금속 재질의 기판 상에 제1금속-제2금속 유텍틱 합금(Eutectic Alloy)을 형성할 수 있는 제2금속을 증착하는 단계;
(b)상기 기판을 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 온도(Eutectic Temperature)로 가열하여, 상기 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 조성(Eutectic Composition)을 형성하는 단계;
(c)형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿을 이용하여 상기 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 온도보다 높은 온도에서 스탬핑(stamping)하는 단계; 및
(d)상기 템플릿을 분리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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(a)기판 상에 제1금속-제2금속 유텍틱 합금을 형성할 수 있는 제1금속 및 제2금속을 순차적으로 증착하는 단계;
(b)상기 기판을 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 온도로 가열하여, 상기 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 조성을 형성하는 단계;
(c)형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿을 이용하여 상기 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 온도보다 높은 온도에서 스탬핑하는 단계; 및
(d)상기 템플릿을 분리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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(a)기판 상에 제1금속-제2금속 유텍틱 합금을 형성할 수 있는 제1금속 파우더 및 제2금속 파우더를 도포하는 단계;
(b)상기 기판을 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 온도로 가열하여, 상기 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 조성을 형성하는 단계;
(c)형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿을 이용하여 상기 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 온도보다 높은 온도에서 스탬핑하는 단계; 및
(d)상기 템플릿을 분리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1금속-제2금속 합금은 Al-Zn, Al-Ag, Al-Cu, Al-Ge, Al-Mg, Al-Si, Cu-Ag, Al-Be, Sn-Ag, Sn-Pb 및 Pt-Ag 합금 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 (b)단계는 상기 제1금속-제2금속 합금의 유텍틱 온도보다 30℃ ~ 150℃ 높은 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 템플릿은 SiC, SiO2, Si3N4, Al2O3, MgO, Si 및 Ni 중 어느 하나의 재질로 된 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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7
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 템플릿은 이형물질로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 이형물질은
그라파이트(Graphite)인 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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(a)제1금속 재질의 기판 상에 제1금속과 3원계 유텍틱 합금(Ternary Eutectic Alloy)을 형성할 수 있는 2종의 금속들을 순차적으로 증착하는 단계;
(b)상기 기판을 상기 제1금속과 상기 2종의 금속들을 성분으로 하는 3원계 합금의 유텍틱 온도로 가열하여, 상기 3원계 합금의 유텍틱 조성을 형성하는 단계;
(c)형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿을 이용하여 상기 3원계 합금의 유텍틱 온도보다 높은 온도에서 스탬핑하는 단계; 및
(d)상기 템플릿을 분리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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10
(a)기판 상에 3원계 유텍틱 합금을 형성할 수 있는 3종의 금속들을 순차적으로 증착하는 단계;
(b)상기 기판을 상기 3종의 금속들을 성분으로 하는 3원계 합금의 유텍틱 온도로 가열하여, 상기 3원계 합금의 유텍틱 조성을 형성하는 단계;
(c)형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿을 이용하여 상기 3원계 합금의 유텍틱 온도보다 높은 온도에서 스탬핑하는 단계; 및
(d)상기 템플릿을 분리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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11
(a)기판 상에 3원계 합금을 형성할 수 있는 3종의 금속들의 파우더를 도포하는 단계;
(b)상기 기판을 상기 3종의 금속들을 성분으로 하는 3원계 합금의 유텍틱 온도로 가열하여, 상기 3원계 합금의 유텍틱 조성을 형성하는 단계;
(c)형성하고자 하는 미세 패턴에 대응하는 반대패턴이 형성된 템플릿을 이용하여 상기 3원계 합금의 유텍틱 온도보다 높은 온도에서 스탬핑하는 단계; 및
(d)상기 템플릿을 분리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 형성 방법
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