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수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자에 있어서,상기 반도체 소자의 질소 극성 표면(nitrogen polar surface)에 TiB2, ZrB2, W2B, W2B5, 및 CrB2로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 확산방지층이 형성된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 확산방지층은 5 내지 200nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자
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수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자에 있어서, 순차적으로전극구조체;TiB2, ZrB2, W2B, W2B5, 및 CrB2로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 확산방지층;질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층;질화물계 활성층;금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층; 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체; 및지지기판이 적층된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 확산방지층은 5 내지 200nm 의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층 및 금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층은 각각 n-GaN 및 p-GaN 인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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제6항에 있어서,상기 질화물계 활성층은 단일 양자우물(Quantum Well) 구조 또는 다중 양자우물 구조인 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자
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수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자를 제조하는 방법에 있어서,성장기판에 순차적으로 질소 극성 표면의 n형 질화물계 클래드층, 질화물계 활성층, 및 금속 극성 표면의 p형 질화물계 클래드층을 성장시키는 단계;상기 p형 질화물계 클래드층 상면에 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체를 형성시키는 단계;지지기판을 상기 반사성 p형 오믹접촉 전극구조체 상면에 형성시키는 단계; 상기 성장기판을 분리 제거시키는 단계; 상기 질소극성 표면의 n형 질화물계 클래드층의 상면에 TiB2, ZrB2, W2B, W2B5, 및 CrB2로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 확산방지층을 형성시키는 단계; 및상기 확산방지층의 상면에 전극구조체를 형성시키는 단계;를 포함하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 반도체 소자는 In x Al y Ga (1-x-y) N(0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 성장기판의 분리 제거는 레이저를 성장기판에 조사하여 행하는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 확산방지층은 5 내지 200nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 구조의 그룹 Ⅲ족 n형 질화물계 반도체 소자를 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
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