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발광 효율 향상을 위한 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134218
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광추출 효율이 향상된 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 질화물 발광 소자 제조 방법은, (a) 기판에 질화물층을 형성하는 단계; 및 (b) 동일한 곡률을 갖는 복수의 요홈부가 형성되도록 상기 질화물층의 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 투명 전극층의 표면에 동일한 곡률을 갖는 요홈부를 형성함으로써, 활성층에서 발생된 빛이 투명 전극층으로 입사된 후, 투명 전극층의 표면에서 산란되어 외부로 방출된다. 따라서, 표면산란 효과를 통한 빛 추출 효율을 향상시키기 위하여 이용되는 종래 기술의 Surface texturing 방식과 동일한 빛 추출 효율 향상 효과가 나타난다. 또한, 본 발명은 투명 전극층 표면 패턴을 조절함으로써 투명 전극층으로부터 2D 포토닉 크리스탈(photonic crystal) 효과를 얻을 수 있는데, 이는 기존의 단일층 투명 전극층과 공기(또는 epoxy) 층에서 발생하는 전반사로 인해 빛의 추출 효율이 감소되었던 종래 기술과는 달리, 투명 전극층의 평면 방향으로 향하는 빛을 회절시켜 표면에 대해서 수직 방향으로 방출시킴으로써 빛 추출 효율을 향상시키는 효과가 나타난다.
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/42 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020070131493 (2007.12.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0926280-0000 (2009.11.04)
공개번호/일자 10-2009-0063954 (2009.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20091112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이병규 대한민국 서울시 도봉구
3 신영철 대한민국 서울시 서초구
4 김은홍 대한민국 경기도 의정부시 호

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0902539-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041825-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0182550-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0393176-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0393170-73
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0444206-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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(a) 기판에 n형 질화물층, 활성층, 및 p형 질화물층을 포함하는 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 및 (b) 동일한 곡률을 갖는 복수의 요홈부가 형성되도록 상기 질화물 반도체층의 상부에 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 질화물 반도체층에 투명 전극층 형성 물질로 박막을 형성하는 단계; (b2) 상기 박막위에 구형의 입자들을 배치하는 단계; (b3) 상기 구형의 입자들 사이에 Sol-Gel 방식으로 투명 전극층 형성 물질을 채우고, 상기 투명 전극층 형성 물질을 결정화시키는 단계; 및 (b4) 상기 입자들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (b2) 단계는 상기 입자들이 포함된 용액을 상기 박막위에 도포하고, 상기 용액의 용매를 증발시켜 상기 입자들을 상기 박막위에 배치하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (b3) 단계는 상기 투명 전극층 형성 물질을 상기 입자 크기의 절반까지 채운후 결정화하고, 상기 (b4) 단계는 상기 입자를 구성하는 재질에 따라서 BOE 에칭 공정 또는 버닝(Burning) 공정을 수행하여 상기 입자들을 제거하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 (b3) 단계는 상기 투명 전극층 형성 물질을 상기 입자가 침적되도록 채운후 결정화하고, 상기 (b4) 단계는 상기 입자들을 덮는 투명 전극층 형성 물질의 상부와 입자들의 상부를 반응성 이온 식각(RIE) 또는 습식 식각 방법으로 제거한 후, 상기 입자를 구성하는 재질에 따라서 BOE 에칭 공정 또는 버닝(Burning) 공정을 수행하여 상기 입자들을 제거하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 입자들은 라텍스 계열의 재료 또는 실리카 계열의 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 투명 전극층 형성 물질은 인듐틴옥사이드(ITO)인 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
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