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제 2 질화물 반도체층, 활성층, 제 1 질화물 반도체층, 및 투명 전극층이 순차적으로 적층되어 있는 기판;기판의 중심점을 가로지르며, 상기 기판의 중심점에 대해서 대칭인 ''S''자 형상의 제 1 전극; 및상기 제 1 전극의 양단부를 각각 감싸며, 상기 기판의 중심점을 기준으로 서로 대칭이며, 양단부가 상기 기판의 중심점을 기준으로 서로 다른 사분면에 배치되는 한 쌍의 제 2 전극; 을 포함하고,상기 제 1 전극 및 상기 한 쌍의 제 2 전극 중, 하나는 상기 제 2 질화물 반도체층에 전기적으로 접촉되도록 형성되며, 나머지 하나는 상기 투명 전극층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전극은,상기 기판의 중심점에 대해서 대칭인 ''S''자 형상 또는 ''S''자가 뒤집어진 형상인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1 전극은,제 1 서브 전극과 제 2 서브 전극을 연결하는 제 1 본딩 전극; 상기 제 2 서브 전극과 제 3 서브 전극을 연결하는 제 2 본딩 전극;상기 제 1 본딩 전극을 기준으로, 상기 기판의 테두리를 따라 연장되는 상기 제 1 서브 전극; 상기 기판의 중심점을 가로지르며 상기 제 1 본딩 전극과 상기 제 2 본딩 전극에 의해 상기 제 1 서브 전극 및 상기 제 3 서브 전극과 연결되는 상기 제 2 서브 전극; 및상기 제 2 본딩 전극을 기준으로, 상기 기판의 테두리를 따라 연장되는 상기 제 3 서브 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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4
제 3항에 있어서,상기 제 1 서브 전극은,순차적으로 연결되는 1-1 서브 전극 내지 1-6 서브 전극으로 구성되고,상기 제 2 서브 전극은,순차적으로 연결되는 2-1 서브 전극 내지 2-5 서브 전극으로 구성되며,상기 제 3 서브 전극은,순차적으로 연결되는 3-1 서브 전극 내지 3-6 서브 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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5
제 4항에 있어서,상기 각 서브 전극들은,90°보다 큰 각을 형성하며 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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6
제 5항에 있어서,상기 제 1 본딩 전극은,상기 1-6 서브 전극과 상기 2-1 서브 전극이 일직선상에 놓이도록 연결하고,상기 제 2 본딩 전극은,상기 2-5 서브 전극과 상기 3-1 서브 전극일직선상에 놓이도록 연결하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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7
제 6항에 있어서,상기 1-1, 1-3, 2-2, 2-4, 3-4, 및 3-6 서브 전극은,서로 평행인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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8
제 7항에 있어서,상기 1-5 서브 전극 및 상기 3-2 서브 전극은,서로 평행이며, 상기 1-1 서브 전극과 수직인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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9
제 8항에 있어서,상기 1-4 서브 전극 및 상기 3-3 서브 전극은,서로 평행인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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10
제 9항에 있어서,상기 1-2 서브 전극, 상기 2-3 서브 전극, 및 상기 3-5 서브 전극은,서로 평행인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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11
제 10항에 있어서,상기 2-3 서브 전극은,상기 기판의 중심점을 지나는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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12
제 11항에 있어서,상기 1-3 서브 전극과 상기 1-5 서브 전극, 및 상기 3-2 서브 전극과 상기 3-4 서브 전극은,상기 기판의 4개의 모서리 중 대각선 방향으로 위치한 두 개의 모서리 각각에 근접하도록 테두리를 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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13
제 1항에 있어서,상기 한 쌍의 제 2 전극 각각은, 제 4 서브 전극과 제 5 서브 전극을 연결하는 제 3 본딩 전극; 상기 제 3 본딩 전극을 기준으로, 상기 기판의 테두리를 따라 연장되는 상기 제 4 서브 전극; 및상기 제 3 본딩 전극을 기준으로, 상기 기판의 내측으로 연장되는 상기 제 5 서브 전극; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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14
제 13항에 있어서,상기 제 4 서브 전극은, 상기 제 5 서브 전극보다 짧게 형성되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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15
제 14항에 있어서,상기 제 4 서브 전극은, 순차적으로 연결되는 4-1 서브 전극 내지 4-4 서브 전극으로 구성되고,상기 제 5 서브 전극은,순차적으로 연결되는 5-1 서브 전극 내지 5-4 서브 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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16
제 15항에 있어서,상기 각 서브 전극들은,90°보다 큰 각을 형성하며 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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제 16항에 있어서,상기 제 3 본딩 전극은,상기 4-4 서브 전극과 상기 5-1 서브 전극이 일직선상에 놓이도록 연결하는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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18
제 17항에 있어서,상기 4-1, 5-2, 및 5-4 서브 전극은,서로 평행인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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제 18항에 있어서,상기 4-3 서브 전극은,상기 4-1 서브 전극과 수직인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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제 19항에 있어서,상기 4-2 서브 전극 및 상기 5-3 서브 전극은,서로 평행인 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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제 20항에 있어서,상기 4-1 서브 전극 및 상기 4-3 서브 전극은,상기 기판의 4개의 모서리 중 상기 제 1 전극의 일단부에 근접한 모서리를 이루는 테두리를 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 한 쌍의 제 2 전극은, 서로 미리 설정된 이격 거리를 유지하며 배치되는 것을 특징으로 하는 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자
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