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2차전지 및 이를 구비한 반도체

  • 기술번호 : KST2015132325
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 2차전지는 소자를 지지하는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 전도성 금속층; 상기 전도성 금속층 상에 형성되며, 상기 전도성 금속층을 일부 노출시키는 영역과 상기 전도성 금속층을 커버하는 영역을 갖는 고분자층; 상기 전도성 금속층을 노출시킨 상기 고분자층에 채워지는 리튬파우더층을 포함한다. 따라서 본 발명에 따른 2차전지 및 이를 구비한 반도체는 반도체 소자층이 형성된 기판에 2차전지를 인시츄로 형성함으로써, 크기가 감소된 형태의 메모리/비메모리 반도체를 형성할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01M 16/00 (2006.01) H01M 10/04 (2006.01)
CPC H01M 10/04(2013.01) H01M 10/04(2013.01) H01M 10/04(2013.01) H01M 10/04(2013.01)
출원번호/일자 1020070070465 (2007.07.13)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0898020-0000 (2009.05.11)
공개번호/일자 10-2009-0006962 (2009.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20090519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤우영 대한민국 서울 성북구
2 김영근 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0510851-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0005378-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0369260-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0652421-57
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.09.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0652420-12
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0014758-11
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.03.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0012188-09
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0141106-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전원제공영역과 소자영역을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판; 상기 기판 상에 형성되는 전도성 금속층; 상기 전도성 금속층 상에 형성되며, 상기 전원제공영역의 전도성 금속층은 일부 노출시키고, 상기 소자영역의 전도성 금속층은 커버하는 고분자층; 및 노출된 상기 전도성 금속층 상부에 형성되며, 상기 고분자층의 노출영역에 채워지는 리튬파우더층을 포함하는 2차전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 고분자층은 비전도성이면서, 감광특성이 있는 감광성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차전지
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 전도성 금속층은 금, 구리, 니켈을 포함하는 전도성을 갖는 금속 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 2차전지
5 5
삭제
6 6
제 1항에 기재된 상기 2차전지가 상기 기판의 상기 전원제공영역에 인시츄(in-situ)로 구비되는 것을 특징으로 하는 메모리/비메모리 반도체소자
7 7
전원제공영역과 소자영역을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판 상에 전도성 금속을 증착하여 전도성 금속층을 형성하는 단계; 상기 전도성 금속층 상에 고분자층을 형성하는 단계; 상기 전원제공영역 상의 고분자층에 노광/현상 공정을 실시하여 상기 전도성 금속층의 일부를 노출시키는 단계; 및 노출된 상기 전도성 금속층 상부에 리튬파우더층을 형성하되, 상기 고분자층의 노출영역에 리튬파우더를 채워넣어 리튬파우더층을 형성하는 단계를 포함하는 2차전지의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 고분자층은 비전도성이면서, 감광특성이 있는 감광성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 2차전지 제조방법
9 9
삭제
10 10
제 7항에 있어서, 상기 전도성 금속층은 금, 구리, 니켈을 포함하는 전도성을 갖는 금속 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 2차전지 제조방법
11 11
삭제
12 12
전원제공영역과 소자영역을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판 상에 전도성 금속을 증착하여 전도성 금속층을 형성하는 단계, 상기 전도성 금속층 상에 고분자층을 형성하는 단계, 상기 전원제공영역 상의 고분자층에 노광/현상 공정을 실시하여 상기 전도성 금속층의 일부를 노출시키는 단계, 및 노출된 상기 전도성 금속층 상부에 리튬파우더층을 형성하되, 상기 고분자층의 노출영역에 리튬파우더를 채워넣어 리튬파우더층을 형성하여 2차전지를 인시츄(in-situ)로 형성하는 단계; 및 상기 2차전지가 형성된 상기 기판 상에 반도체소자층을 형성하는 단계를 포함하는 메모리/비메모리 반도체소자 제조방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 고분자층은 비전도성이면서, 감광특성이 있는 감광성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리/비메모리 반도체 제조방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 기판은 상기 2차전지가 다수 또는 단일로 형성되는 전원제공영역과 상기 반도체 소자층이 형성되는 소자영역을 구비하는 실리콘 웨이퍼로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리/비메모리 반도체 제조방법
15 15
제 12항에 있어서, 상기 전도성 금속층은 금, 구리, 니켈을 포함하는 전도성을 갖는 금속 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리/비메모리 반도체 제조방법
16 16
삭제
17 17
제 12항에 있어서, 상기 2차전지가 형성된 상기 기판의 동일면에 반도체 소자층이 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리/비메모리 반도체소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.