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도전성 기판;
상기 도전성 기판 상에 순차적으로 형성된 p형 질화물 반도체층, 활성층 및 n형 질화물 반도체층을 구비하는 발광적층체;
상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 페시베이션층; 및
상기 페시베이션층 상에 형성된 n형 오믹 전극;을 포함하며,
상기 페시베이션층은 상기 n형 오믹 전극과 오믹컨택을 이루는 도전성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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제1항에 있어서,
상기 페시베이션층은 셀레늄(selenium)을 함유하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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3
제2항에 있어서,
상기 페시베이션층은 상기 n형 질화물 반도체층의 전면에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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4
제1항에 있어서, 상기 n형 오믹 전극은,
Ti 또는 Ti 합금을 포함하는 물질로 이루어진 제1층; 및
상기 제1층 상에 형성되며 Al 또는 Al 합금을 포함하는 물질로 이루어진 제2층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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5
제4항에 있어서,
상기 Ti 합금은 Ti와, Al, Cr, Ni, Pd, Pt, Mo, Co 및 Mg로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소의 합금인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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6
제4항에 있어서,
상기 Al 합금은 Al과, Ti, Cr, Ni, Pd, Pt, Mo, Co, Cu, Hf 및 Mg로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소의 합금인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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7
제4항에 있어서,
상기 제1층의 두께는 10 ~ 300Å인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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8
제7항에 있어서,
상기 제2층의 두께는 100 ~ 4000Å인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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9
제1항에 있어서,
상기 도전성 기판과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 고반사성 오믹컨택층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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10
제9항에 있어서,
상기 고반사성 오믹컨택층은, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt 및 Au로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
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11
성장용 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광적층체를 형성하는 단계;
상기 p형 질화물 반도체층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;
상기 성장용 기판을 제거하는 하는 단계;
상기 n형 질화물 반도체층의 전면에 페시베이션층을 형성하는 단계; 및
상기 페시베이션층 상에 n형 오믹 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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12
제11항에 있어서,
상기 n형 질화물 반도체층 상에 페시베이션층을 형성하는 단계는,
상기 n형 질화물 반도체층의 표면 안정화를 위한 표면처리를 위해, 셀레늄(Selenium)화 암모늄(ammonium)의 수용액에 발광적층체를 침지하여 상기 n형 질화물 반도체층 상에 셀레늄 화합물층을 형성하는 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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13
제12항에 있어서,
상기 페시베이션층 상에 n형 오믹 전극을 형성하는 단계는, 상기 페시베이션층을 형성하는 단계 후, 열처리하지 않고 바로 실행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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14
제13항에 있어서,
상기 페시베이션층 상에 n형 오믹 전극을 형성하는 단계는,
상기 페시베이션층 상에 Ti 또는 Ti 합금을 포함하는 물질로 이루어진 제1층을 형성하는 단계; 및
상기 제1층 상에 Al 또는 Al 합금을 포함하는 물질로 이루어진 제2층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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15
제14항에 있어서,
상기 Ti 합금은 Ti와, Al, Cr, Ni, Pd, Pt, Mo, Co 및 Mg로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소의 합금인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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16
제14항에 있어서,
상기 Al 합금은 Al과, Ti, Cr, Ni, Pd, Pt, Mo, Co, Cu, Hf 및 Mg로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소의 합금인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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제14항에 있어서,
상기 제1층 및 제2층을 형성하는 단계는 전자선 증착법 또는 스퍼터링에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 도전성 기판과 상기 p형 질화물 반도체층 사이에 고반사성 오믹컨택층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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19
제18항에 있어서,
상기 고반사성 오믹컨택층은, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt 및 Au로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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