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질화물 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131251
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명은 박막 변환층을 기판상에 패터닝하고, 그 위에 저결함 밀도의 질화물층을 형성함으로써, 종래의 기판과 질화물층간의 격자 부정합으로 인하여 발생하는 결함 밀도를 현저하게 감소시켜 고효율 및 고신뢰성의 발광 소자를 얻을 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 발광 소자 제조 과정에서 빛의 파장을 변환할 수 있는 포스포 등으로 구현되는 박막 변환층을 삽입하여 발광 소자를 제조함으로써, 종래의 원하는 파장의 빛을 얻기 위해서 발광 소자 제조 공정이 완료된 후 별도로 파장 변환용 포스포 물질을 결합하는 부가적인 공정 또는 R,G,B 의 3 종류의 발광 소자를 각각 결합하여 구동해야 하는 공정을 생략할 수 있게 되었다. 따라서, 종래보다 조립이 간단하고, 가격이 저렴하면서도 수율이 높은 발광소자를 얻을 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01) H01L 33/50(2013.01)
출원번호/일자 1020070038181 (2007.04.19)
출원인 고려대학교 산학협력단, (주)루미온텍
등록번호/일자 10-0899153-0000 (2009.05.18)
공개번호/일자 10-2008-0094146 (2008.10.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.19)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 (주)루미온텍 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 임시종 대한민국 서울시 서대문구
3 신영철 대한민국 서울시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)
2 김정식 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)(특허법인주원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울 성북구
2 (주)루미온텍 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0296133-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006340-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0175927-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0362099-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0362096-31
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0373371-40
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0499797-43
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0773023-48
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0027219-82
12 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0114593-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에, 광의 파장을 변환시키는 소정 패턴의 박막 변환층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 박막 변환층이 형성된 상기 기판위에 상기 광을 발생시키는 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 박막 변환층은 EuO계 물질, CeO계 물질, EuSiO계 물질, CeSiO계 물질 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법
2 2
(a) 기판 위에, 광의 파장을 변환시키는 소정 패턴의 박막 변환층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 박막 변환층이 형성된 상기 기판위에 상기 광을 발생시키는 질화물층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 박막 변환층은 10Å~10㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 기판위에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층에 상기 박막 변환층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 박막 변환층이 형성된 상기 기판위에 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층위에 제 1 질화물 반도체층, 활성층, 및 제 2 질화물 반도체층을 순차적으로 적층하여 상기 질화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 질화물층의 일 측면영역에서, 상기 제 1 질화물층이 드러날때까지 상기 제 2 질화물층, 상기 활성층 및 상기 제 1 질화물층의 일부를 순차적으로 식각하고 상기 제 2 질화물층과 상기 제 1 질화물층의 식각면에 각각 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자 제조 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자 제조 방법
7 7
삭제
8 8
기판; 상기 기판위에 광의 파장을 변환시키도록 소정의 패턴으로 형성된 박막 변환층; 및 상기 박막 변환층이 형성된 상기 기판위에 형성되어 상기 광을 발생시키는 질화물층을 포함하고, 상기 박막 변환층은 EuO계 물질, CeO계 물질, EuSiO계 물질, CeSiO계 물질 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자
9 9
기판; 상기 기판위에 광의 파장을 변환시키도록 소정의 패턴으로 형성된 박막 변환층; 및 상기 박막 변환층이 형성된 상기 기판위에 형성되어 상기 광을 발생시키는 질화물층을 포함하고, 상기 박막 변환층은 10Å~10㎛의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자
10 10
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 기판과 상기 박막 변환층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
11 11
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 박막 변환층이 형성된 상기 기판과 상기 질화물층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
12 12
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 질화물층은 제 1 질화물 반도체층, 활성층, 및 제 2 질화물 반도체층이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제 2 질화물층의 상면에 형성된 제 2 전극층, 및 상기 질화물층의 일 측면영역에서, 상기 제 1 질화물층이 드러날때까지 상기 제 2 질화물층, 상기 활성층 및 상기 제 1 질화물층의 일부를 순차적으로 식각하여 드러난 상기 제 1 질화물층의 식각면 형성된 제 1 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 발광소자
14 14
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화물 발광 소자
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울시 고려대학교 서울시 산학협력(신기술개발사업) 박막형 형광체를 적용한 고효율 백색 LED개발