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광결정 광학 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015132587
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광결정 광학 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 종래의 기술에서 광결정 광학 소자를 제조하는 공정이 매우 까다롭고, 고가의 극자외선 리소그래피(DUV lithography) 또는 이빔리소그래피(e-beam lithography) 장비를 사용하여 제조 비용이 증가하고 상용화가 어려워지는 문제를 해결하기 위하여, 소수성 자기조립단분자막(Self Assembled Monolayer; 이하 SAM) 패턴을 이용한 나노 스피어의 리소그래피 공정으로 임프린팅 스탬프를 제작한 후 이를 이용하여 고분자 기반의 광결정 광학 회로 또는 고굴절률 물질을 기반으로한 광결정 광학 회로를 제조함으로써, 광결정 광학 소자 제조 비용을 감소시키고, 더 다양한 광학 회로를 더 용이하게 제조할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020080003951 (2008.01.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0941302-0000 (2010.02.01)
공개번호/일자 10-2009-0078142 (2009.07.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울 노원구
2 홍성훈 대한민국 서울 동대문구
3 양기연 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0029203-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0034820-20
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428696-86
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0355810-52
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0624627-99
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0624628-34
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0029241-94
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 소수성을 갖는 자기조립단분자막(Self Assembled Monolayer; 이하 SAM) 패턴을 형성하는 단계; 상기 SAM 패턴에 의해 노출되는 기판 상에 나노 스피어 리소그래피법(Nano Sphere Lithography)으로 구형 입자들을 형성하는 단계; 상기 SAM 패턴을 제거한 후 산소 리액티브 이온 에칭(Oxygen Reactive Ion Etching) 공정을 이용하여 상기 구형 입자들의 크기를 감소시키는 단계; 및 상기 구형 입자들을 마스크로 상기 기판 일부를 식각한 후 상기 구형 입자들을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅 스탬프 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 SAM 패턴은 광결정 광학 회로를 정의하는 패턴을 사용하는 것을 특징으로 하는 임프린팅 스탬프 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 산소 리액티브 이온 에칭 공정으로 상기 구형 입자의 반경을 200㎚ ~ 2㎛ 크기로 감소시키는 것을 특징으로 하는 임프린팅 스탬프 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 구형 입자들을 제거하는 단계 이후에 상기 기판 표면에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린팅 스탬프 제조 방법
5 5
반도체 기판 상에 고분자 물질층을 형성하는 단계; 제 1 항에 기재된 방법으로 제조된 임프린팅 스탬프를 이용하여 상기 고분자 물질층을 압착하고, 나노 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 단계; 및 상기 임프린팅 스탬프를 제거하고, 광결정 광학 회로를 정의하는 고분자 물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 광학 소자의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 고분자 물질층은 GaAs, InP, TiO2, ZnO 및 이들의 화합물 중 선택된 어느 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광결정 광학 소자의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 광결정 광학 회로는 광결정 도파로 제작에 사용되는 것을 특징으로 하는 광결정 광학 소자의 제조 방법
8 8
반도체 기판 상에 고굴절 물질층 및 고분자 물질층을 순차적으로 형성하는 단계; 제 1 항에 기재된 방법으로 제조된 임프린팅 스탬프를 상기 고분자 물질층 상에 위치시키는 단계; 상기 임프린팅 스탬프를 상기 고분자 물질층에 압착시키고, 임프린트 리소그래피 공정을 수행하는 단계; 상기 임프린팅 스탬프를 제거하여 광결정 광학 회로를 정의하는 고분자 물질 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 물질 패턴을 이용하여 고굴절 물질층을 식각한 후 고분자 물질 패턴을 제거하여 광결정 광학 회로를 정의하는 고굴절 물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광결정 광학 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.